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參數(shù)資料
| 型號： | MCP4152-502E/P |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 44/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC POT DGTL SNGL 5K RHEO 8DIP |
| 標準包裝： | 60 |
| 接片： | 257 |
| 電阻（歐姆）： | 5k |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 溫度系數(shù)： | 標準值 150 ppm/°C |
| 存儲器類型： | 易失 |
| 接口： | 4 線 SPI（芯片選擇） |
| 電源電壓： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應商設備封裝： | 8-PDIP |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 675 (CN2011-ZH PDF) |
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Micrel, Inc.
KSZ8051MNL/RNL
July 2010
49
M9999-070910-1.0
MII Transmit Timing (100Base-TX)
Figure 12. MII Transmit Timing (100Base-TX)
Timing Parameter
Description
Min
Typ
Max
Unit
tP
TXC period
40
ns
tWL
TXC pulse width low
20
ns
tWH
TXC pulse width high
20
ns
tSU1
TXD[3:0] setup to rising edge of TXC
10
ns
tSU2
TXEN setup to rising edge of TXC
10
ns
tHD1
TXD[3:0] hold from rising edge of TXC
0
ns
tHD2
TXEN hold from rising edge of TXC
0
ns
tCRS1
TXEN high to CRS asserted latency
35
ns
tCRS2
TXEN low to CRS de-asserted latency
36
ns
Table 13. MII Transmit Timing (100Base-TX) Parameters
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS17887-3 | IC RTC 3V 8K NV RAM 24-EDIP |
| VI-2NM-MY-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W |
| VI-2NM-MY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W |
| MCP4242T-502E/UN | IC RHEOSTAT 5K 2CH 10MSOP |
| D38999/24WG16PA | CONN RCPT 16POS JAM NUT W/PINS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCP4152-502I/MF | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152-502I/ML | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152-502I/MS | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152-502I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152-502I/SL | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
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