參數(shù)資料
型號(hào)： MCP4151-502E/SN
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 4/59頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC POT DGTL SNGL 5K SPI 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 100
接片： 257
電阻（歐姆）： 5k
電路數(shù)： 1
溫度系數(shù)： 標(biāo)準(zhǔn)值 150 ppm/°C
存儲(chǔ)器類型： 易失
接口： 3 線 SPI（芯片選擇）
電源電壓： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 675 (CN2011-ZH PDF)
MCP413X/415X/423X/425X
DS22060B-page 12
2008 Microchip Technology Inc.
FIGURE 1-2:
SPI Timing Waveform (Mode = 00).
TABLE 1-2:
SPI REQUIREMENTS (MODE = 00)
#
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—10
MHz VDD = 2.7V to 5.5V
—1
MHz VDD = 1.8V to 2.7V
70
CS Active (VIL or VIHH) to SCK↑ input
TcsA2scH
60
—
ns
71
SCK input high time
TscH
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
72
SCK input low time
TscL
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
73
Setup time of SDI input to SCK
↑ edge
TDIV2scH
10
—
ns
74
Hold time of SDI input from SCK
↑ edge
TscH2DIL20
—
ns
77
CS Inactive (VIH) to SDO output hi-impedance
TcsH2DOZ—
50
ns
80
SDO data output valid after SCK
↓ edge
TscL2DOV—
70
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
170
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
82
SDO data output valid after
CS Active (VIL or VIHH)
TssL2doV
—
70
ns
83
CS Inactive (VIH) after SCK↓ edge
TscH2csI
100
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
1ms
VDD = 1.8V to 2.7V
84
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VIL or VIHH)
TcsA2csI
50
—
ns
Note 1: This specification by design.
CS
SCK
SDO
SDI
70
71
72
82
74
75, 76
MSb
BIT6 - - - - - -1
LSb
77
MSb IN
BIT6 - - - -1
LSb IN
80
83
84
73
VIH
VIL
VIHH
VIH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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