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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MCH6732 |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | MCH6732 |
MCH6732
No.7758-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
[TR]
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=12V, IE=0
0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
0.1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=2V, IC=50mA
300
800
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=2V, IC=50mA
440
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
4
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=400mA, IB=20mA
140
280
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=400mA, IB=20mA
0.9
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0
20
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
15
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0
5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
165
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
25
ns
[Di]
Reverse Voltage
VR
IR=0.5mA
12
V
Forward Voltage
VF
IF=0.5A
0.40
0.45
V
Reverse Current
IR
VR=6V
90
A
Interterminal Capacitance
C
VR=10V, f=1MHz
13
pF
Reverse Recovery Time
trr
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit.
10
ns
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
2232
Switching Time Test Circuit
trr Specified Circuit
[TR]
[Di]
5
6
1
4
23
1 : Emitter
2 : Base
3 : Cathode
4 : Anode
5 : NC
6 : Collector
Top view
1 : Emitter
2 : Base
3 : Cathode
4 : Anode
5 : NC
6 : Collector
SANYO : MCPH6
0.25
0.07
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
1
12
3
65
4
32
5
46
(Bottom view)
(Top view)
VR
RB
VCC=5V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=400mA
Duty
≤10%
50
100
10
--5V
trr
10
s
100mA
10mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6931 | 1000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6933 | 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6935 | 150 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6935 | 150 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6937 | 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6931 | 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:MCH6931 |
| MCH6933 | 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:MCH6933 |
| MCH6935 | 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:TR : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FET : N-Channel Silicon MOSFET Power Management Switch Applications |
| MCH6935-TL-E | 功能描述:TRANS PNP/MOSFET N-CH MCPH6 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管 - 專(zhuān)用型 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:2 NPN，基極集電極接線盒 應(yīng)用:電流鏡像 電壓 - 額定:30V 額定電流:100mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT143-4 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000010885 |
| MCH6937 | 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:TR : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FET : N-Channel Silicon MOSFET Power Management Switch |
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