參數(shù)資料
型號(hào)： MCH6702
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MCPH6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 38K
代理商： MCH6702
MCH6702
No.6684-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Rathings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
[TR]
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--12V, IE=0
--0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--4V, IC=0
---0.1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=--2V, IC=--100mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--2V, IC=--300mA
350
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
17
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--750mA, IB=--15mA
---120
---180
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--750mA, IB=--15mA
---0.85
---1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10A, IE=0
---15
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
---15
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10A, IC=0
---5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit
50
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit
90
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit
15
ns
[Di]
Reverse Voltage
VR
IR=0.5mA
30
V
VF1IF=0.3A
0.35
0.40
V
Forward Voltage
VF2IF=0.5A
0.42
0.47
V
VF3IF=0.7A
0.5
0.55
V
Reverse Current
IR
VR=10V
200
A
Interterminal Capacitance
C
VR=10V, f=1MHz
20
pF
Reverse Recovery Time
trr
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit
10
ns
Electrical Connection
Switching Time Test Circuit
trr Specified Circuit
[TR]
[Di]
VR
RB
VCC= --5V
VBE=5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
F
470
F
PW=20
s
IB2
D.C.
≤1%
IB1
IC= --20IB1=20IB2= --750mA
Duty
≤10%
50
100
10
--5V
trr
100mA
10mA
10
s
45
1
2
3
6
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PDF描述
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