參數(shù)資料
型號(hào)： MCH6628
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MCPH6, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： MCH6628
MCH6628
No.7919-2/6
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Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=10V, f=1MHz
7.0
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=10V, f=1MHz
5.9
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=10V, f=1MHz
2.3
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
19
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
65
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
155
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
120
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=10V, VGS=4V, ID=150mA
1.58
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=10V, VGS=4V, ID=150mA
0.26
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=10V, VGS=4V, ID=150mA
0.31
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=150mA, VGS=0
0.87
1.2
V
[P-channel]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=--1mA, VGS=0
--20
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=--20V, VGS=0
--1
A
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±8V, VDS=0
±10
A
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--0.4
--1.3
V
Forward Transfer Admittance
yfs
VDS=--10V, ID=--500mA
0.7
1.2
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--500mA, VGS=--4V
380
500
m
RDS(on)2
ID=--300mA, VGS=--2.5V
540
760
m
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
115
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
23
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
15
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
8
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
6
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
15
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
7
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--1A
1.5
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--1A
0.4
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--1A
0.3
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--1A, VGS=0
--0.9
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
[N-channel]
[P-channel]
Electrical Connection
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID=80mA
RL=187.5
VDD=15V
VOUT
MCH6628
VIN
4V
0V
VIN
65
4
13
2
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
(Top view)
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --500mA
RL=20
VDD= --10V
VOUT
MCH6628
VIN
0V
--4V
VIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCH6629 400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6631 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6631 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6634 700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6646 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MCH6629-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET PP CH 30V 0.4A MCPH6
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