- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95925 > MCH6619 1000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MCH6619 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | MCH6619 |
MCH6619
No.7156-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
75
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
16
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
9
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
6
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
4
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
12
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
4
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1A
2.6
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1A
0.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1A
0.5
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--1A, VGS=0
--0.89
--1.5
V
Electrical Connection
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --500mA
RL=30
VDD= --15V
VOUT
MCH6619
VIN
0V
--10V
VIN
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT03312
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
--4V
--5V
IT03310
IT03311
IT03313
200
400
600
800
1000
1200
0
ID= -
-0.5A,
VGS
= --10V
ID=
--0.3A,
VGS
= --4V
VGS= --3V
--6V
--8V
--10V
ID= --0.3A --0.5A
Ta=25
°C
VDS= --10V
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
RDS(on) -- VGS
ID -- VDS
ID -- VGS
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1
--2
--3
--4
--6
--7
--8
--5
--9
--10
0
--0.5
--1.0
--2.0
--0.2
--1.5
0
--0.4
--0.6
--0.8
--2.0
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
654
12
3
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
Top view
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6620 | 1400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6620 | 1400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6626 | 1600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6626 | 1600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6627 | 1400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6619-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:P+P 30V 1A 0.55 MCH6 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET PP CH 30V 1A SC-82 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| MCH6620-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:N+N 30V 1.4A 0.3 MCH6 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET NN CH 30V 1.4A SC-82 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| MCH6622 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6626 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6626-TL-E | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。