參數(shù)資料
型號： MCH6541
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, MCPH6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： MCH6541
MCH6541
No.8949-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)200mA, IB=(--)10mA
(--110)85
(--220)190
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)200mA, IB=(--)10mA
(--)0.9
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--30)40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(125)255
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(25)40
ns
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7022A-012
Switching Time Test Circuit
5
6
1
4
23
1 : Emitter1 (PNP TR)
2 : Base1 (PNP TR)
3 : Collector2 (NPN TR)
4 : Emitter2 (NPN TR)
5 : Base2 (NPN TR)
6 : Collector1 (PNP TR)
Top view
1 : Emitter1 (PNP TR)
2 : Base1 (PNP TR)
3 : Collector2 (NPN TR)
4 : Emitter2 (NPN TR)
5 : Base2 (NPN TR)
6 : Collector1 (PNP TR)
SANYO : MCPH6
2.0
0.25
1.6
2.1
0.25
0.85
0.3
0.65
0.15
0 to 0.02
0.07
65
4
12
3
65
4
12
3
VR
RB
VCC=12V
VBE= --5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
220μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=300mA
For PNP, the polarity is reversed.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCH6542 300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6601 200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6601 200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6602 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6602 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCH6541-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2.5/3.3V 4:1 DIFF MUX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MCH6542 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Push-Pull Circuit Applications
MCH6542-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 0.3A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MCH6544 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Inverter Circuit / Driver Applications
MCH6544-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2.5/3.3V 4:1 DIFF MUX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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