參數(shù)資料
型號： MCH6440
元件分類： JFETs
英文描述： 0.6 A, 55 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MCPH6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： MCH6440
MCH6440
No. A1202-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
30
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
6.1
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
3.9
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
4.1
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
5.6
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
8.6
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
8.4
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=30V, VGS=4V, ID=600mA
0.87
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=30V, VGS=4V, ID=600mA
0.12
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=30V, VGS=4V, ID=600mA
0.37
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=600mA, VGS=0V
0.94
1.2
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7022A-009
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
SANYO : MCPH6
2.0
0.25
1.6
2.1
0.25
0.85
0.3
0.65
0.15
0 to 0.02
0.07
65
4
12
3
65
4
12
3
P.G
50Ω
G
S
D
ID=600mA
RL=50Ω
VDD=30V
VOUT
MCH6440
VIN
4V
0V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
0.1
0.6
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.2
0.4
0.5
0.3
0.1
0.6
0
2.0
1.6
1.2
0.2
0.4
0.8
1.8
1.4
0.6
1.0
IT13418
0
1.0
0.5
2.0
2.5
1.5
3.0
IT13419
Ta
=75
°C
--
2
5°
C
VGS=1.2V
VDS=10V
8.0V
1.8V
4.0V
2.5V
6.0V
25
°C
1.5V
相關PDF資料
PDF描述
MCH6440 0.6 A, 55 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MCH6444 2500 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6444TL 2500 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6531 1000 mA, 12 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6532 1000 mA, 15 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MCH6444 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH6444-TL-H 功能描述:MOSFET PNP+NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MCH6445 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH6445-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MCH6445-TL-W 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4A 60V 4V DRIVE MCPH6 - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*