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參數(shù)資料
| 型號： | MCH6336 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 5 A, 12 V, 0.043 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | MCH6336 |
MCH6336
No. A0958-3/4
IS -- VSD
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Drain Current, ID -- A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
VGS -- Qg
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Drain Current, ID -- A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Ambient Temperature, Ta --
°C
IT12991
IT12992
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
0.1
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
3
2
--0.1
--1.0
--10
23
5
7
--0.01
23
5
7
2
3
5 7
Ta=
--25
°C
VDS= --6V
--0.001
2
3
--0.01
2
7
5
VGS=0V
--0.01
--0.1
23
5
7
2
--1.0
--10
35
7
2
VDD= --6V
VGS= --4.5V
td(on)
td(off)
tf
IT12993
0
--2
--4
--6
1000
7
5
3
2
3
2
100
7
5
--8
--12
--10
Ciss
Coss
Crss
IT12994
10
2
3
7
3
5
7
3
5
100
1000
2
7
5
Ta
=
7
5°
C
25
°C
--25
°C
f=1MHz
t r
20
40
80
60
100
120
0
IT12990
75°
C
25°
C
3
--0.1
2
7
5
3
--1.0
2
7
5
3
--10
7
5
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VGS
= --1.8
V, ID
= --0.5
A
VGS=
--4.5V
, ID= -
-3.0A
VGS
= --2.5
V, ID
= --1.5
A
07
6
12
3
4
5
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
--10
--0.1
--0.01
23
5
3
2
7
23
5 7
23
5 7
--0.01
--0.1
--1.0
--10
IT12996
IT12995
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
100
μs
10ms
100ms
Operation in this area
is limited by RDS(on).
ID= --5A
DC
operation(
Ta=25
°C
)
IDP= --20A
VDS= --6V
ID= --5A
1ms
35 7
PW
≤10μs
Source
Current,
I
S
--
A
0
--2
--4
--6
--8
--1
--3
--5
--7
20
40
80
60
100
120
160
140
0
IT12989
ID= --0.5A
--3.0A
Ta=25
°C
--1.5A
yfs -- ID
Ta=25
°C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (1200mm2
0.8mm)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6342 | 4.5 A, 30 V, 0.073 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6344 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6344TL | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6405 | 5 A, 20 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6405 | 5 A, 20 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6336-P-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6336-S-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6336-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6336-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6337 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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