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參數(shù)資料
| 型號： | MCH6325 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 60 V, 0.255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | MCH6325 |
MCH6325
No. A0969-3/4
IS -- VSD
yfs -- ID
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Drain Current, ID -- A
Source
Current,
I
S
--
A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
VGS -- Qg
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Drain Current, ID -- A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Ambient Temperature, Ta --
°C
IT13039
IT13040
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0.1
1.0
7
5
3
2
10
7
5
3
2
--0.1
2
--0.01
23
5
7
--1.0
2
35
7
--10
35
7
Ta=
--25
°C
VDS= --10V
--0.01
2
3
--0.1
2
7
5
3
--1.0
2
7
5
VGS=0V
--0.01
--0.1
23
5
7
--10
23
5
7
2
--1.0
35
7
VDD= --30V
VGS= --10V
td(on)
td(off)
tf
IT13041
0
--10
--20
--30
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
100
10
--40
--60
--50
Ciss
Coss
Crss
IT13042
10
2
3
1.0
7
100
7
1000
7
5
2
3
5
2
3
5
T
a=75
°C
25
°C
--
2
5°
C
f=1MHz
0--4
--2
--8
--12
--6
--10
--14
--16
50
100
150
250
350
200
300
400
450
500
0
IT13037
IT13038
ID= --0.5A
--1.0A
Ta=25
°C
75
°C
25
°C
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
500
150
350
200
400
50
250
450
100
300
V GS
= -
-4V,
I D
= -
-0.5
A
V GS
= --
10V
, I D
= --
1.0
A
012
2468
10
11
13579
IT13043
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--8
--7
--9
--10
VDS= --30V
ID= --2A
3
--10
7
5
t r
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
23
5 7--1.0
--0.01 23
5 7
23
5 7
7
--10
--100
23
5
IDP= --8A
ID= --2A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
100
s
100ms
1ms
10ms
DC
operation
(T
a=25
°C
)
IT13044
PW
≤10s
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm2
0.8mm)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6331 | 3.5 A, 30 V, 0.098 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6336 | 5 A, 12 V, 0.043 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6336 | 5 A, 12 V, 0.043 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6342 | 4.5 A, 30 V, 0.073 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6344 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6331 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6331_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6331-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6331-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6336 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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