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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MCH6318 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | MCH6318 |
MCH6318
No.7999-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
5.5
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
0.98
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
0.82
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--2A, VGS=0
--0.85
--1.5
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2193A
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
SANYO : MCPH6
0.25
0.07
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
1
12
3
65
4
32
5
46
(Bottom view)
(Top view)
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --1A
RL=15
VDD= --15V
VOUT
MCH6318
VIN
0V
--10V
VIN
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
--2
--4
--6
--8
--12
--14
--16
--10
--18
--20
RDS(on) -- VGS
IT03225
0
--0.4
--0.8
--1.6
--2.0
--0.2
--1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
ID -- VDS
VGS= --3.0V
--3.5V
--4.0V
--6.0V
--10.0V
IT03223
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
ID -- VGS
VDS= --10V
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
IT03224
RDS(on) -- Ta
IT03226
50
100
150
200
250
300
350
400
0
Ta=25
°C
--1.0A
ID= --0.5A
ID= -
-1.0A,
VGS
= --10V
ID=
--0.5A,
VGS
= --4V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6318 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6321 | 4 A, 20 V, 0.083 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6321 | 4 A, 20 V, 0.083 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6325 | 2 A, 60 V, 0.255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6325 | 2 A, 60 V, 0.255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6320 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6320-TL-E | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6321 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6321_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6321-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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