參數(shù)資料
型號(hào): MCH6308
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: JFETs
英文描述: 3.5 A, 12 V, 0.098 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: MCPH6, 6 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: MCH6308
MCH6308
No.7620-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--6V, f=1MHz
450
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--6V, f=1MHz
100
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--6V, f=1MHz
85
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
15
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
90
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
62
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
50
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3.5A
6.5
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3.5A
0.8
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3.5A
2.0
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--3.5A, VGS=0
--0.9
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
50
100
150
200
250
300
0
--0.25
--0.5
--0.75
--1.0
--1.25
--1.5
--1.75
--2.0
--4.0
--3.0
--2.0
--1.0
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT06490
--5.0
--4.0
--3.0
--2.0
--1.0
0
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
IT06488
VDS= --6V
IT06489
IT06491
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
50
100
150
200
250
Ta=25
°C
--1.7A
ID
= -
-0.8A
ID=
--0.4A,
VGS
= --1.8V
ID= -
-0.8A,
VGS=
--2.5V
ID= --1.7A,
VGS= -
-4.5V
25
°C
T
a=75
°C
0
VGS= --1.0V
--1.5V
--1.8V
--4.5V
--3.5V
--3.0V
--4.0V
--2.5V
--2.0V
--25
°C
RDS(on) -- VGS
ID -- VDS
ID -- VGS
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m‰
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Ambient Temperature, Ta --
°C
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m‰
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --1.7A
RL=3.53
VDD= --6V
VOUT
MCH6308
VIN
0V
--4.5V
VIN
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PDF描述
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MCH6321 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications