參數(shù)資料
型號(hào): MCH5908
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 50 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝: MCPH5, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商: MCH5908
MCH5908
No. A1218-3/4
Crss -- VDS
NF -- f
ITR02758
10
8
6
4
2
0.01
2
0.1
1.0
10
100
0
3
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
VDS=5V
ID=1mA
Rg=1k
Ω
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Reverse
T
ransfer
Capacitance,
Crss
--
pF
Frequency, f -- kHz
Noise
Figure,
NF
-
dB
IT04227
Ciss -- VDS
VGS(off) -- IDSS
7
10
23
5
3
2
1.0
7
5
VDS=5V
ID=100μA
Drain Current, IDSS -- mA
Cutof
f
V
oltage,
V
GS
(of
f)
--
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Input
Capacitance,
Ciss
--
pF
yfs -- ID
IT04225
yfs -- IDSS
IT04226
10
5
3
7
2
3
5
7
3
1.0
10
7
52
3
5
7
2
3
5
2
VDS=5V
f=1kHz
I DSS
=15mA
30mA
7
10
23
5
10
2
3
5
7
100
VDS=5V
VGS=0V
f=1kHz
Drain Current, ID -- mA
Forward
T
ransfer
Admittance,
yfs
-
mS
Drain Current, IDSS -- mA
Forward
T
ransfer
Admittance,
yfs
-
mS
IT13692
3
10
1.0
2
10
2
35
7
5
3
2
1.0
VGS=0V
f=1MHz
IT13691
23
5
7
2
3
1.0
10
5
7
2
VGS=0V
f=1MHz
ID -- VGS
IT04224
ID -- VGS
ITR02752
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0.2
0
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
20mA
I DSS
=30mA
15mA
10mA
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0.2
0
4
2
6
8
12
10
14
16
75
°C
VDS=5V
IDSS=15mA
25
°C
Ta
=
--25
°C
VDS=5V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
-
mA
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
-
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCH6001 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6102 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6202 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6102 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6202 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCH5908_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Amplifi er, AM Amplifier, Low-Frequency Amplifier Applications
MCH5908G-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 15V 50MA MCPH5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
MCH5908H-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 15V 50MA MCPH5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
MCH-6 制造商:GAMEWELL-FCI 制造商全稱:GAMEWELL-FCI 功能描述:Multi-mod relay output
MCH6001 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High Frequency Low-Noise Amplifi er