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參數(shù)資料
| 型號： | MCH3427 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MCPH3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | MCH3427 |
MCH3427
No.7746-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Total Gate Charge
Qg
VDS=10V, VGS=4V, ID=4A
6
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=10V, VGS=4V, ID=4A
0.8
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=10V, VGS=4V, ID=4A
2.2
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=4A, VGS=0
0.87
1.2
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2167A
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
0.25
0.07
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
1
2
3
12
3
(Bottom view)
(Top view)
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID=2A
RL=5
VDD=10V
VOUT
MCH3427
VIN
4V
0V
VIN
RDS(on) -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
Drain
Current,
I
D
-
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
-
A
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Ambient Temperature, Ta --
°C
IT07050
0
2.0
0.4
1.6
0.8
2.4
1.2
2.8
4.0
3.6
3.2
0.2
40
50
80
100
30
60
70
90
20
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT07048
02468
10
1
2
3
4
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
IT07049
IT07051
20
40
60
80
100
10
30
50
70
90
VGS=1.0V
4.0V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
VDS=10V
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
Ta=25
°C
ID=2.0A,
VGS
=4.0V
I D
=0.5A,
V GS
=1.8V
I D
=1.0,
V GS
=2.5V
2.0A
ID=0.5A
1.0A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3427 | 4000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| MCH3431 | 3500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3435 | 700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3435 | 700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH3427-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MCH3431 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3431-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 30V 3.5A lbogR Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 30V 3.5A SC-82 |
| MCH3443 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| MCH3443-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 30V 1.5A lbogR Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 30V 1.5A SC-82 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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