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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MCH3339 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MCPH3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | MCH3339 |
MCH3339
No.7414-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--6V, f=1MHz
145
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--6V, f=1MHz
45
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--6V, f=1MHz
35
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
7.5
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
20
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
16
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
12
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.5A
3.8
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.5A
0.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--1.5A
0.5
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--1.5A, VGS=0
--0.94
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --0.8A
RL=12.5
VDD= --10V
VOUT
MCH3339
VIN
0V
--10V
VIN
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
200
400
600
800
100
300
500
700
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- VGS
IT05615
0
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.4
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
--0.2
0
--0.6
--0.4
--2.0
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--0.2
--1.0
--0.8
--0.6
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
Drain
Current,
I
D
--
A
IT05613
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
--
A
IT05614
RDS(on) -- Ta
IT05616
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
--0.4
--0.1
--0.9
--0.7
--0.5
--0.3
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ambient Temperature, Ta --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
--3.0V
VGS= --2.5V
--10V
--6.0V
--4.5V --4.0V
T
a=75
°C
--25
°C
VDS= --10V
Ta=25
°C
ID= --0.4A
ID
=
-
-0.8A
ID= --0.8A,
VGS= -
-10V
ID=
--0.1A,
VGS
= --4.0V
ID=
--0.4A,
VGS
= --4.5V
ID
=
-
-0.1A
25
°C
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