Table 20. Cur" />
參數(shù)資料
型號: MCF52110CAF80
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 20/56頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU 128K FLASH 80MHZ 100LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 90
系列: MCF521xx
核心處理器: Coldfire V2
芯體尺寸: 32-位
速度: 66MHz
連通性: I²C,SPI,UART/USART
外圍設(shè)備: DMA,LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 63
程序存儲器容量: 128KB(128K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 容量: 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 8x12b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 100-LQFP
包裝: 托盤
配用: M5211DEMO-ND - KIT DEMO FOR MCF5211
MCF52110 ColdFire Microcontroller, Rev. 1
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
27
2.2
Current Consumption
Table 20. Current Consumption in Low-Power Mode1,2
1
All values are measured with a 3.30V power supply.
2
Refer to the Power Management chapter in the MCF52110 Reference Manual for more information on low-power modes.
Mode
Flash memory
SRAM
Units
8 MHz
16 MHz
64 MHz
80 MHz
8 MHz
16 MHz
64 MHz
80 MHz
Stop mode 3 (Stop 11)3
3
See the description of the Low-Power Control Register (LPCR) in the MCF52110 Reference Manual for more information on
stop modes 0–3.
0.057
0.002
mA
Stop mode 2 (Stop 10)3
2.5
2.3
Stop mode 1 (Stop 01)3,4
4
Results are identical to STOP 00 for typical values because they only differ by CLKOUT power consumption. CLKOUT is
already disabled in this instance prior to entering low power mode.
3.03
3.3
4.9
5.6
2.9
3.1
4.8
5.4
Stop mode 0 (Stop 00)3
3.03
3.3
4.9
5.6
2.9
3.1
4.8
5.4
Wait / Doze
12.3
22.7
40.3
45
5.3
7.9
24
30
Run
TBD
6.7
10.8
35
43
Table 21. Typical Active Current Consumption Specifications
Characteristic
Symbol
Typical1
Active
(SRAM)
1 Tested at room temperature with CPU polling a status register. All clocks were off except the UART and CFM (when
running from flash memory).
Typical1
Active
(Flash)
Peak2
(Flash)
2 Peak current measured with all modules active, CPU polling a status register, and default drive strength with matching
load.
Unit
PLL @ 8 MHz
IDD
811
21
mA
PLL @ 16 MHz
12
19
38
PLL @ 64 MHz
38
45
102
PLL @ 80 MHz
45
54
118
RAM standby supply current
Normal operation: VDD > VSTBY - 0.3 V
Transient condition: VSTBY - 0.3 V > VDD > VSS + 0.5 V
Standby operation: VDD < VSS + 0.5 V
ISTBY
0
65
16
A
Analog supply current
Normal operation
Standby
Powered down
IDDA
14
0.8
0
mA
PLL supply current
IDDPLL
——
6(see note 3)
3 Tested with the PLL MFD set to 7 (max value). Setting the MFD to a lower value results in lower current consumption.
mA
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PDF描述
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MCF52110CEP66 功能描述:32位微控制器 - MCU KIRIN0 WITHOUT USB RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 處理器系列:TMS320F28x 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:90 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2.97 V to 3.63 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:LQFP-80 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MCF52110CVM66 功能描述:IC MCU 128K FLASH 66MHZ 81MAPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:MCF521xx 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:AVR® ATmega 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,SPI,UART/USART 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位,POR,PWM,WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:32KB(16K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:1K x 8 RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:44-TQFP 包裝:剪切帶 (CT) 其它名稱:ATMEGA324P-B15AZCT
MCF52110CVM66J 功能描述:IC MCU 128K FLASH 66MHZ 81MAPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:MCF521xx 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:260 系列:73S12xx 核心處理器:80515 芯體尺寸:8-位 速度:24MHz 連通性:I²C,智能卡,UART/USART,USB 外圍設(shè)備:LED,POR,WDT 輸入/輸出數(shù):9 程序存儲器容量:64KB(64K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-VFQFN 裸露焊盤 包裝:管件
MCF52110CVM80 功能描述:IC MCU 128K FLASH 80MHZ 81MAPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:MCF521xx 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:AVR® ATmega 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,SPI,UART/USART 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位,POR,PWM,WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:32KB(16K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:1K x 8 RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:44-TQFP 包裝:剪切帶 (CT) 其它名稱:ATMEGA324P-B15AZCT