參數(shù)資料
型號(hào)： MC9S12DG128VPV
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
封裝： LQFP-112
文件頁數(shù)： 37/138頁
文件大小： 2093K
代理商： MC9S12DG128VPV
MC9S12DT128 Device User Guide — V02.11
131
Table A-20 Expanded Bus Timing Characteristics
Conditions are shown in Table A-4 unless otherwise noted, CLOAD = 50pF
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P Frequency of operation (E-clock)
fo
0
25.0
MHz
2
P Cycle time
tcyc
40
ns
3
D Pulse width, E low
PWEL
19
ns
4D Pulse width, E high1
PWEH
19
ns
5
D Address delay time
tAD
8ns
6D Address valid time to E rise (PWEL–tAD)tAV
11
ns
7
D Muxed address hold time
tMAH
2ns
8
D Address hold to data valid
tAHDS
7ns
9
D Data hold to address
tDHA
2ns
10
D Read data setup time
tDSR
13
ns
11
D Read data hold time
tDHR
0ns
12
D Write data delay time
tDDW
7ns
13
D Write data hold time
tDHW
2ns
14
D Write data setup time(1) (PWEH–tDDW)
tDSW
12
ns
15
D Address access time(1) (tcyc–tAD–tDSR)
tACCA
19
ns
16
D E high access time(1) (PWEH–tDSR)
tACCE
6ns
17
D Non-multiplexed address delay time
tNAD
6ns
18
D Non-muxed address valid to E rise (PWEL–tNAD)tNAV
15
ns
19
D Non-multiplexed address hold time
tNAH
2ns
20
D Chip select delay time
tCSD
16
ns
21
D Chip select access time(1) (tcyc–tCSD–tDSR)
tACCS
11
ns
22
D Chip select hold time
tCSH
2ns
23
D Chip select negated time
tCSN
8ns
24
D Read/write delay time
tRWD
7ns
25
D Read/write valid time to E rise (PWEL–tRWD)tRWV
14
ns
26
D Read/write hold time
tRWH
2ns
27
D Low strobe delay time
tLSD
7ns
28
D Low strobe valid time to E rise (PWEL–tLSD)tLSV
14
ns
29
D Low strobe hold time
tLSH
2ns
30
D NOACC strobe delay time
tNOD
7ns
31
D NOACC valid time to E rise (PWEL–tNOD)tNOV
14
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC9S12DB128MFU 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
MC9S12DB128VPV 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
MC9S12DG256MFU 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
MC9S12DG256CPV 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
MC9S12DG256MPV 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S12DG128VPVE 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12DG256BCFU 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12DG256BCPV 功能描述:IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
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