參數資料
型號： MC9S08LL64CLK
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
封裝： 14 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-80
文件頁數： 33/44頁
文件大?。?/td> 886K
代理商： MC9S08LL64CLK
LCD Specifications
MC9S08LL64 Series MCU Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
39
3.14
LCD Specifications
3.15
Flash Specifications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the Flash
memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see the Memory section.
Table 20. LCD Electricals, 3-V Glass
No.
C
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D
LCD supply voltage
VLCD
.9
1.5
1.8
V
2
D
LCD frame frequency
fFrame
28
30
58
Hz
3
D
LCD charge pump capacitance
CLCD
—100
100
nF
4
D
LCD bypass capacitance
CBYLCD
—100
100
nF
5
D
LCD glass capacitance
Cglass
—
2000
8000
pF
6
DVIREG
HRefSel = 0
VIREG
.89
1.00
1.15
V
7
HRefSel = 1
1.49
1.67
1.851
1 V
IREG Max can not exceed VDD –.15 V
8D
VIREG trim resolution
RTRIM
1.5
—
% VIREG
9
DVIREG ripple
HRefSel = 0
—
.1
V
10
HRefSel = 1
—
.15
11
D
VLCD buffered adder
2
2 VSUPPLY = 10, BYPASS = 0
IBuff
—1
A
Table 21. Flash Characteristics
No.
C
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
1D
Supply voltage for program/erase
–40
C to 85 C
Vprog/erase
1.8
—
3.6
V
2
D
Supply voltage for read operation
VRead
1.8
—
3.6
V
3
D
Internal FCLK frequency1
fFCLK
150
—
200
kHz
4
D
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
5
—
6.67
s
5
P
Byte program time (random location)2
tprog
9tFcyc
6
P
Byte program time (burst mode)2
tBurst
4tFcyc
7
P
Page erase time2
tPage
4000
tFcyc
8
P
Mass erase time2
tMass
20,000
tFcyc
9
D
Byte program current3
RIDDBP
—4—
mA
相關PDF資料
PDF描述
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MC9S08MM32AVLH 8-BIT, FLASH, 48 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64
MC9S08MM32VLH 8-BIT, FLASH, 48 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64
MC9S08MM128VLK 8-BIT, FLASH, 48 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
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參數描述
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