參數(shù)資料
型號： MC9S08GT60ACBE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 165/302頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 60K FLASH 4K RAM 42-SDIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 13
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 33
程序存儲器容量： 60KB（60K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 42-SDIP（0.600"，15.24mm）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 730 (CN2011-ZH PDF)
配用： M68DEMO908GB60E-ND - BOARD DEMO MC9S08GB60
M68EVB908GB60E-ND - BOARD EVAL FOR MC9S08GB60
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Development Support
MC9S08GB60A Data Sheet, Rev. 2
Freescale Semiconductor
247
Table 15-1. BDC Command Summary
Command
Mnemonic
Active BDM/
Non-intrusive
Coding
Structure
Description
SYNC
Non-intrusive
n/a1
1 The SYNC command is a special operation that does not have a command code.
Request a timed reference pulse to determine
target BDC communication speed
ACK_ENABLE
Non-intrusive
D5/d
Enable acknowledge protocol. Refer to
Freescale document order no. HCS08RMv1/D.
ACK_DISABLE
Non-intrusive
D6/d
Disable acknowledge protocol. Refer to
Freescale document order no. HCS08RMv1/D.
BACKGROUND
Non-intrusive
90/d
Enter active background mode if enabled
(ignore if ENBDM bit equals 0)
READ_STATUS
Non-intrusive
E4/SS
Read BDC status from BDCSCR
WRITE_CONTROL
Non-intrusive
C4/CC
Write BDC controls in BDCSCR
READ_BYTE
Non-intrusive
E0/AAAA/d/RD
Read a byte from target memory
READ_BYTE_WS
Non-intrusive
E1/AAAA/d/SS/RD
Read a byte and report status
READ_LAST
Non-intrusive
E8/SS/RD
Re-read byte from address just read and report
status
WRITE_BYTE
Non-intrusive
C0/AAAA/WD/d
Write a byte to target memory
WRITE_BYTE_WS
Non-intrusive
C1/AAAA/WD/d/SS
Write a byte and report status
READ_BKPT
Non-intrusive
E2/RBKP
Read BDCBKPT breakpoint register
WRITE_BKPT
Non-intrusive
C2/WBKP
Write BDCBKPT breakpoint register
GO
Active BDM
08/d
Go to execute the user application program
starting at the address currently in the PC
TRACE1
Active BDM
10/d
Trace 1 user instruction at the address in the
PC, then return to active background mode
TAGGO
Active BDM
18/d
Same as GO but enable external tagging
(HCS08 devices have no external tagging pin)
READ_A
Active BDM
68/d/RD
Read accumulator (A)
READ_CCR
Active BDM
69/d/RD
Read condition code register (CCR)
READ_PC
Active BDM
6B/d/RD16
Read program counter (PC)
READ_HX
Active BDM
6C/d/RD16
Read H and X register pair (H:X)
READ_SP
Active BDM
6F/d/RD16
Read stack pointer (SP)
READ_NEXT
Active BDM
70/d/RD
Increment H:X by one then read memory byte
located at H:X
READ_NEXT_WS
Active BDM
71/d/SS/RD
Increment H:X by one then read memory byte
located at H:X. Report status and data.
WRITE_A
Active BDM
48/WD/d
Write accumulator (A)
WRITE_CCR
Active BDM
49/WD/d
Write condition code register (CCR)
WRITE_PC
Active BDM
4B/WD16/d
Write program counter (PC)
WRITE_HX
Active BDM
4C/WD16/d
Write H and X register pair (H:X)
WRITE_SP
Active BDM
4F/WD16/d
Write stack pointer (SP)
WRITE_NEXT
Active BDM
50/WD/d
Increment H:X by one, then write memory byte
located at H:X
WRITE_NEXT_WS
Active BDM
51/WD/d/SS
Increment H:X by one, then write memory byte
located at H:X. Also report status.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC9S08GT60ACFBER 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08GT60ACFBER 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 8BIT MCU HCS08 20MHZ QFP-44
MC9S08GT60ACFDE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08GT60ACFDER 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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