Table A-7. ATD Timing/Performance " />
參數(shù)資料
型號(hào): MC9S08GT32CB
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 191/290頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU 32K FLASH 40MHZ 42-SDIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 13
系列: S08
核心處理器: S08
芯體尺寸: 8-位
速度: 40MHz
連通性: I²C,SCI,SPI
外圍設(shè)備: LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 34
程序存儲(chǔ)器容量: 32KB(32K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
RAM 容量: 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 8x10b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 42-SDIP(0.600",15.24mm)
包裝: 管件
配用: M68DEMO908GB60E-ND - BOARD DEMO MC9S08GB60
M68EVB908GB60E-ND - BOARD EVAL FOR MC9S08GB60
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08GB/GT Data Sheet, Rev. 2.3
270
Freescale Semiconductor
Table A-7. ATD Timing/Performance Characteristics1
1 All ACCURACY numbers are based on processor and system being in WAIT state (very little activity and no IO switching) and
that adequate low-pass ltering is present on analog input pins (lter with 0.01
F to 0.1 F capacitor between analog input and
VREFL). Failure to observe these guidelines may result in system or microcontroller noise causing accuracy errors which will
vary based on board layout and the type and magnitude of the activity.
Num
Characteristic
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
1
ATD conversion clock
frequency
fATDCLK
2.08V < VDDAD < 3.6V
0.5
2.0
MHz
1.80V < VDDAD < 2.08V
0.5
1.0
2
Conversion cycles (continuous
convert)2
2 This is the conversion time for subsequent conversions in continuous convert mode. Actual conversion time for single
conversions or the rst conversion in continuous mode is extended by one ATD clock cycle and 2 bus cycles due to starting the
conversion and setting the CCF ag. The total conversion time in Bus Cycles for a conversion is:
SC Bus Cycles = ((PRS+1)*2) * (28+1) + 2
CC Bus Cycles = ((PRS+1)*2) * (28)
CC
28
<30
ATDCLK
cycles
3
Conversion time
Tconv
2.08V < VDDAD < 3.6V
14.0
60.0
S
1.80V < VDDAD < 2.08V
28.0
60.0
4
Source impedance at input3
3
RAS is the real portion of the impedance of the network driving the analog input pin. Values greater than this amount may not
fully charge the input circuitry of the ATD resulting in accuracy error.
RAS
10
k
5
Analog Input Voltage4
4 Analog input must be between V
REFL and VREFH for valid conversion. Values greater than VREFH will convert to $3FF less the
full scale error (EFS).
VAIN
VREFL
VREFH
V
6
Ideal resolution (1 LSB)5
5 The resolution is the ideal step size or 1LSB = (V
REFH–VREFL)/1024
RES
2.08V < VDDAD < 3.6V
2.031
3.516
mV
1.80V < VDDAD < 2.08V
1.758
2.031
7
Differential non-linearity6
6 Differential non-linearity is the difference between the current code width and the ideal code width (1LSB). The current code
width is the difference in the transition voltages to and from the current code.
DNL
1.80V < VDDAD < 3.6V
+0.5
+1.0
LSB
8
Integral non-linearity7
7 Integral non-linearity is the difference between the transition voltage to the current code and the adjusted ideal transition voltage
for the current code. The adjusted ideal transition voltage is (Current Code–1/2)*(1/((VREFH+EFS)–(VREFL+EZS))).
INL
1.80 V < VDDAD < 3.6V
+0.5
+1.0
LSB
9
Zero-scale error8
8 Zero-scale error is the difference between the transition to the rst valid code and the ideal transition to that code. The Ideal
transition voltage to a given code is (Code–1/2)*(1/(VREFH–VREFL)).
EZS
1.80V < VDDAD < 3.6V
+0.4
+1.0
LSB
10
Full-scale error9
9 Full-scale error is the difference between the transition to the last valid code and the ideal transition to that code. The ideal
transition voltage to a given code is (Code–1/2)*(1/(VREFH–VREFL)).
EFS
1.80V < VDDAD < 3.6V
+0.4
+1.0
LSB
11
Input leakage error 10
10 Input leakage error is error due to input leakage across the real portion of the impedance of the network driving the analog pin.
Reducing the impedance of the network reduces this error.
EIL
1.80V < VDDAD < 3.6V
+0.05
+5
LSB
12
Total unadjusted
error11
11 Total unadjusted error is the difference between the transition voltage to the current code and the ideal straight-line transfer
function. This measure of error includes inherent quantization error (1/2LSB) and circuit error (differential, integral, zero-scale,
and full-scale) error. The specied value of ET assumes zero EIL (no leakage or zero real source impedance).
ETU
1.80V < VDDAD < 3.6V
+1.1
+2.5
LSB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VE-J0K-IX CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
AR155A471K4R CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
VE-J0J-IX CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
AR155A391K4R CAP CER 390PF 50V 10% RADIAL
VE-JTL-IX CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S08GT32CFB 功能描述:IC MCU 32K FLASH 20MHZ 44-QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:S08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN,SCI,SPI 外圍設(shè)備:POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB(20K x 16) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC9S08GT32CFBE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08GT32CFBER 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08GT32CFD 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 Bit 20MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08GT32CFDE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT