參數(shù)資料
型號： MC9S08DV48ACLC
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 320/414頁
文件大小： 0K
描述： IC MCU 48K FLASH 2K RAM 32-LQFP
標準包裝： 1,250
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： CAN，I²C，LIN，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 25
程序存儲器容量： 48KB（48K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 10x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 32-LQFP
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁面： 729 (CN2011-ZH PDF)
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08DV60 Series Data Sheet, Rev 3
Freescale Semiconductor
387
A.13
Flash
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the Flash
memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see Chapter 4, “Memory.”
A.14
EMC Performance
Electromagnetic compatibility (EMC) performance is highly dependant on the environment in which the
MCU resides. Board design and layout, circuit topology choices, location and characteristics of external
components as well as MCU software operation all play a signicant role in EMC performance. The
system designer should consult Freescale applications notes such as AN2321, AN1050, AN1263,
AN2764, and AN1259 for advice and guidance specically targeted at optimizing EMC performance.
Table A-17. Flash Characteristics
Num
C
Rating
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
1
—
Supply voltage for program/erase
Vprog/erase
2.7
5.5
V
2—
Supply voltage for read operation
0 < fBus < 8 MHz
0<fBus < 20 MHz
VRead
2.7
5.5
V
3—
Internal FCLK frequency1
1 The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
200
kHz
4
—
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
5
6.67
μs
5—
Byte program time (random location)(2)
tprog
9
tFcyc
6—
Byte program time (burst mode)(2)
tBurst
4
tFcyc
7—
Page erase time2
2 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information supplied for
calculating approximate time to program and erase.
tPage
4000
tFcyc
8—
Mass erase time(2)
tMass
20,000
tFcyc
9C
Flash Program/erase endurance3
TL to TH = –40°C to + 125°C
T = 25
°C
3 Typical endurance for Flash is based on the intrinsic bit cell performance. For additional information on how Freescale
Semiconductor denes typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619, Typical Endurance for Nonvolatile
Memory.
nFLPE
10,000
—
100,000
—
cycles
10
C
Data retention4
4 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale Semiconductor denes typical data
retention, please refer to Engineering Bulletin EB618, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC9S08DV48ACLH 功能描述:8位微控制器 -MCU 48K FL, 2K RAM, CAN, LIN MASTER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DV48AMLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 48K FLASH, 2K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DV48AMLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 48K FL, 2K RAM, CAN, LIN MASTER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DV48AMLH 功能描述:8位微控制器 -MCU 48K FL, 2K RAM, CAN, LIN MASTER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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