參數(shù)資料
型號(hào)： MC9S08DV16ACLC
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 366/414頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 16K FLASH 1K RAM 32-LQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： S08D 8-Bit Microcontroller
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 250
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： CAN，I²C，LIN，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 25
程序存儲(chǔ)器容量： 16KB（16K x 8）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 閃存
RAM 容量： 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 10x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 32-LQFP
包裝： 托盤(pán)
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 729 (CN2011-ZH PDF)
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Chapter 4 Memory
MC9S08DV60 Series Data Sheet, Rev 3
Freescale Semiconductor
55
4.5.4
Burst Program Execution
The burst program command is used to program sequential bytes of data in less time than would be
required using the standard program command. This is possible because the high voltage to the Flash array
does not need to be disabled between program operations. Ordinarily, when a program or erase command
is issued, an internal charge pump associated with the Flash memory must be enabled to supply high
voltage to the array. Upon completion of the command, the charge pump is turned off. When a burst
program command is issued, the charge pump is enabled and remains enabled after completion of the burst
program operation if these two conditions are met:
The next burst program command sequence has begun before the FCCF bit is set.
The next sequential address selects a byte on the same burst block as the current byte being
programmed. A burst block in this Flash memory consists of 32 bytes. A new burst block begins
at each 32-byte address boundary.
The rst byte of a series of sequential bytes being programmed in burst mode will take the same amount
of time to program as a byte programmed in standard mode. Subsequent bytes will program in the burst
program time provided that the conditions above are met. If the next sequential address is the beginning of
a new row, the program time for that byte will be the standard time instead of the burst time. This is because
the high voltage to the array must be disabled and then enabled again. If a new burst command has not been
queued before the current command completes, then the charge pump will be disabled and high voltage
removed from the array.
A flowchart to execute the burst program operation is shown in Figure 4-3.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCIMX233CJM4B MPU 32BIT I.MX233 IND 169-MAPBGA
H4CFC4DI CONN H4 FEMALE HALF 12AWG/4MM2
H4CFC2DI CONN H4 FEMALE HALF 14AWG/2.5MM2
H4CMC6DI CONN H4 MALE HALF 10AWG/6MM2
H4CMC4DI CONN H4 MALE HALF 12AWG/4MM2
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S08DV16ACLCR 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FLASH, 1K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DV16ACLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FL, 1K RAM, CAN, LIN MASTER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DV16AMLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FLASH, 1K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DV16AMLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FL, 1K RAM, CAN, LIN MASTER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DV16AVLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 16K FLASH, 1K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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