參數(shù)資料
型號： MC9S08DN32CLC
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 238/356頁
文件大小： 0K
描述： IC MCU 32K FLASH 1.5K RAM 32LQFP
標準包裝： 250
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，LIN，SCI，SPI
外圍設備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 25
程序存儲器容量： 32KB（32K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大小： 1K x 8
RAM 容量： 1.5K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 10x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 32-LQFP
包裝： 托盤
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08DN60 Series Data Sheet, Rev 3
312
Freescale Semiconductor
where K is a constant pertaining to the particular part. K can be determined from equation 3 by measuring
PD (at equilibrium) for a known TA. Using this value of K, the values of PD and TJ can be obtained by
solving equations 1 and 2 iteratively for any value of TA.
A.5
ESD Protection and Latch-Up Immunity
Although damage from electrostatic discharge (ESD) is much less common on these devices than on early
CMOS circuits, normal handling precautions should be used to avoid exposure to static discharge.
Qualication tests are performed to ensure that these devices can withstand exposure to reasonable levels
of static without suffering any permanent damage.
All ESD testing is in conformity with AEC-Q100 Stress Test Qualication for Automotive Grade
Integrated Circuits. During the device qualification ESD stresses were performed for the Human Body
Model (HBM) and the Charge Device Model (CDM).
A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device
specification. Complete DC parametric and functional testing is performed per the applicable device
specification at room temperature followed by hot temperature, unless specified otherwise in the device
specification.
Table A-4. ESD and Latch-up Test Conditions
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human Body
Series Resistance
R1
1500
Ω
Storage Capacitance
C
100
pF
Number of Pulse per pin
–
3
Latch-up
Minimum input voltage limit
–2.5
V
Maximum input voltage limit
7.5
V
Table A-5. ESD and Latch-Up Protection Characteristics
Num
Rating
Symbol
Min
Max
Unit
1
Human Body Model (HBM)
VHBM
+/- 2000
–
V
2
Charge Device Model (CDM)
VCDM
+/- 500
–
V
3
Latch-up Current at TA = 125°CILAT
+/- 100
–
mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC9S08DN32CLH 功能描述:8位微控制器 -MCU 32K FLASH 2K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08DN32MLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 32K FLASH 2K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08DN32MLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 32K FLASH 2K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC9S08DN32MLH 功能描述:8位微控制器 -MCU 32K FLASH 2K RAM NO CAN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
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