參數(shù)資料
型號(hào)： MC9S08AW60CFUE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 231/324頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC MCU 60KB FLASH 64-QFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 54
程序存儲(chǔ)器容量： 60KB（60K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-QFP
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 729 (CN2011-ZH PDF)
配用： DEMO9S08AW60E-ND - DEMO BOARD FOR MC9S08AW60
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Appendix A Electrical Characteristics and Timing Specications
MC9S08AW60 Data Sheet, Rev 2
306
Freescale Semiconductor
A.12
FLASH Specications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the FLASH
memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see Chapter 4, “Memory.”
Table A-16. FLASH Characteristics
Num
C
Characteristic
Symbol
Min
Typ1
1 Typical values are based on characterization data at V
DD = 5.0 V, 25°C unless otherwise stated.
Max
Unit
1P
Supply voltage for program/erase
Vprog/erase
2.7
5.5
V
2P
Supply voltage for read operation
VRead
2.7
5.5
V
3P
Internal FCLK frequency2
2 The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
200
kHz
4P
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
5
6.67
μs
5P
Byte program time (random location)3
tprog
9
tFcyc
6C
Byte program time (burst mode)3
tBurst
4
tFcyc
7P
Page erase time3
3 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information
supplied for calculating approximate time to program and erase.
tPage
4000
tFcyc
8P
Mass erase time3
tMass
20,000
tFcyc
9C
Program/erase endurance4
TL to TH = –40°C to + 125°C
T = 25
°C
4 Typical endurance for FLASH was evaluated for this product family on the 9S12Dx64. For additional information
on how Freescale Semiconductor denes typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619/D, Typical
Endurance for Nonvolatile Memory.
10,000
—
100,000
—
cycles
10
C
Data retention5
5 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and
de-rated to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale Semiconductor denes
typical data retention, please refer to Engineering Bulletin EB618/D, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
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PDF描述
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MC9S08AW60CFUER-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MC9S08AW Series 60 KB Flash 2 KB RAM 8-Bit Microcontroller - QFP-64
MC9S08AW60CPUE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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