參數(shù)資料
型號(hào)： MC9RS08KB12CWJ
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 27/37頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 8-BIT 12K FLASH 20-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 38
系列： RS08
核心處理器： RS08
芯體尺寸： 8-位
速度： 20MHz
連通性： I²C，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 18
程序存儲(chǔ)器容量： 12KB（12K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 254 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 12x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
包裝： 管件
Electrical Characteristics
MC9RS08KB12 Series MCU Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
33
3.13
Flash Specifications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the flash
memory. For detailed information about program/erase operations, see the reference manual.
D
Input Leakage
Error
10-bit mode
EIL
———
LSB2
Pad leakage2 *
RAS
8-bit mode
—
±0.1
±1
1 Typical values assume V
DDAD = 1.8 V, Temp = 25 °C, fADCK = 1.0 MHz unless otherwise stated. Typical values are for reference
only and are not tested in production.
2 Based on input pad leakage current. Refer to pad electricals.
Table 17. Flash Characteristics
No.
C
Characteristic
Symbol
Min
Typical1
1 Typicals are measured at 25
°C.
Max
Unit
1
D
Supply voltage for program/erase
VDD
2.7
—
5.5
V
2
D
Program/Erase voltage
VPP
11.8
12
12.2
V
3C
VPP current
Program
Mass erase
IVPP_prog
IVPP_erase
—
200
100
μA
4D
Supply voltage for read operation
0 < fBus < 10 MHz
VRead
1.8
—
5.5
V
5
P
Byte program time
tprog
20
—
40
μs
6
P
Mass erase time
tme
500
—
ms
7
C
Cumulative program HV time2
2 t
hv is the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase. Same address can not be
programmed more than twice before next erase.
thv
——
8
ms
8C
Total cumulative HV time
(total of tme & thv applied to device)
thv_total
—
2
hours
9
D
HVEN to program setup time
tpgs
10
—
μs
10
D
PGM/MASS to HVEN setup time
tnvs
5—
—
μs
11
D
HVEN hold time for PGM
tnvh
5—
—
μs
12
D
HVEN hold time for MASS
tnvh1
100
—
μs
13
D
VPP to PGM/MASS setup time
tvps
20
—
ns
14
D
HVEN to VPP hold time
tvph
20
—
ns
15
D
VPP rise time
3
3 Fast V
PP rise time may potentially trigger the ESD protection structure, which may result in over current flowing into the pad
and cause permanent damage to the pad. External filtering for the VPP power source is recommended. An example VPP
filter is shown in Figure 35.
tvrs
200
—
ns
16
D
Recovery time
trcv
1—
—
μs
17
D
Program/erase endurance
TL to TH = –40
°C to 85 °C
—
1000
—
cycles
18
C
Data retention
t
D_ret
15
—
years
Table 16. 10-Bit ADC Characteristics (VREFH = VDDAD, VREFL = VSSAD, 1.8 V < VDDAD < 2.7 V)
C
Characteristic
Conditions
Symb
Min
Typ1
Max
Unit
Comment
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1564CG#TR IC ANTIALIASING FILTER 16-SSOP
LTC1064-3CN IC FILTR 8TH ORDR LOWPASS 14-DIP
VI-JW0-IW-B1 CONVERTER MOD DC/DC 5V 100W
VI-J5V-IW-B1 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 100W
LTC1264CN#PBF IC FILTR BUILDNG BLK HISPD 24DIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MC9RS08KB2CDC 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 2K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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MC9RS08KB2CSG 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MCU Block Diagram
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