參數(shù)資料
型號: MC912B32CFU8R2
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 16-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
封裝: 14 X 14 MM, 2.20 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, QFP-80
文件頁數(shù): 12/349頁
文件大?。?/td> 2172K
代理商: MC912B32CFU8R2
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Program/Erase Protection Interlocks
M68HC12B Family Data Sheet, Rev. 9.1
Freescale Semiconductor
109
8.7 Program/Erase Protection Interlocks
The FLASH EEPROM program and erase mechanisms provide maximum protection from accidental
programming or erasure.
The voltage required to program/erase the FLASH EEPROM (VFP) is supplied via an external pin. If VFP
is not present, no programming/erasing will occur. Furthermore, the program/erase voltage will not be
applied to the FLASH EEPROM unless turned on by setting a control bit (ENPE). The ENPE bit may not
be set unless the programming address and data latches have been written previously with a valid
address. The latches may not be written unless enabled by setting a control bit (LAT). The LAT and ENPE
control bits must be written on separate writes to the control register (FEECTL) and must be separated
by a write to the programming latches. The ERAS and LAT bits are also protected when ENPE is set. This
prevents inadvertent switching between erase/program mode and also prevents the latched data and
address from being changed after a program cycle has been initiated.
8.8 Stop or Wait Mode
When STOP or WAIT commands are executed, the MCU puts the FLASH EEPROM in stop or wait mode.
In these modes, the FLASH module will cease erasure or programming immediately.
NOTE
It is advised to not enter stop or wait modes when programming the FLASH
array. The FLASH EEPROM module is not able to recover from stop mode
without a 250-ns delay. If the operating bus frequency is greater than 4
MHz, the DLY bit must be set to1 to use the FLASH after recovering from
stop mode. Other options are to map the EEPROM module over the FLASH
module in the memory map with DLY = 0 and place the interrupt vectors in
the EEPROM array or use reset to recover from a stop mode executed from
FLASH EEPROM. Recovery from a STOP instruction executed from
EEPROM and RAM operates normally.
8.9 Test Mode
The FLASH EEPROM has some special test functions which are only accessible when the device is in
test mode. Test mode is indicated to the FLASH EEPROM module when the SMOD line on the LIB is
asserted. When SMOD is asserted, the special test control bits may be accessed via the LIB to invoke
the special test functions in the FLASH EEPROM module. When SMOD is not asserted, writes to the test
control bits have no effect and all bits in the test register FEETST will be cleared. This ensures that FLASH
EEPROM test mode cannot be invoked inadvertently during normal operation.
The FLASH EEPROM module will operate normally, even if SMOD is asserted, until a special test function
is invoked. The test mode adds additional features over normal mode. These features allow the tests to
be performed even after the device is installed in the final product.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC912D60ACFUE8 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:16-Bit Microcontroller IC
MC912D60ACPV8 功能描述:IC MCU 60K FLASH 8MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:HC12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN,SCI,SPI 外圍設(shè)備:POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB(20K x 16) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323