參數(shù)資料
型號(hào)： MC908QC16CDRE
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28
封裝： 4.40 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, MO-153AE, TSSOP-28
文件頁(yè)數(shù)： 208/274頁(yè)
文件大小： 3183K
代理商： MC908QC16CDRE
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FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QC16 MC68HC908QC8 MC68HC908QC4 Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
39
2.6.4 FLASH Program Operation
Programming of the FLASH memory is done on a row basis. A row consists of 32 consecutive bytes
starting from addresses $XX00, $XX20, $XX40, $XX60, $XX80, $XXA0, $XXC0, or $XXE0. Use the
following step-by-step procedure to program a row of FLASH memory
Figure 2-4 shows a flowchart of the programming algorithm.
NOTE
Do not program any byte in the FLASH more than once after a successful
erase operation. Reprogramming bits to a byte which is already
programmed is not allowed without first erasing the page in which the byte
resides or mass erasing the entire FLASH memory. Programming without
first erasing may disturb data stored in the FLASH.
1.
Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range desired.
4.
Wait for a time, tNVS.
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tPGS.
7.
Write data to the FLASH address being programmed(1).
8.
Wait for time, tPROG.
9.
Repeat step 7 and 8 until all desired bytes within the row are programmed.
10.
Clear the PGM bit (1).
11.
Wait for time, tNVH.
12.
Clear the HVEN bit.
13.
After time, tRCV, the memory can be accessed in read mode again.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order shown, other unrelated operations may
occur between the steps. Do not exceed tPROG maximum, see 19.17
1. The time between each FLASH address change, or the time between the last FLASH address programmed to clearing
PGM bit, must not exceed the maximum programming time, tPROG maximum.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC908QC16CDTE 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16
S912XDP512F0VPV 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
MC312XDP512J1MPVR 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
MC912XDP512F0MPVR 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
MC912XDP512J1MAAR 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC908QC16CDRER 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
MC908QC16CDSE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 16KFLASH PBFREE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908QC16CDSER 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
MC908QC16CDTE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908QC16CDTE 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-Bit Microcontroller IC
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