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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC908KX2CDWE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 141/210頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 2K FLASH 8MHZ 16-SOICW |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 47 |
| 系列： | HC08 |
| 核心處理器： | HC08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 連通性： | SCI |
| 外圍設(shè)備： | LVD，POR，PWM |
| 輸入/輸出數(shù)： | 13 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 2KB（2K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 192 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 4x8b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 724 (CN2011-ZH PDF) |
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Memory
MC68HC908KX8 MC68HC908KX2 MC68HC08KX8 Data Sheet, Rev. 2.1
36
Freescale Semiconductor
2.10 FLASH Block Protection
Due to the ability of the on-board charge pump to erase and program the FLASH memory in the target
application, provision is made for protecting a block of memory from unintentional erase or program
operations due to system malfunction. This protection is done by using the FLASH block protect register
(FLBPR). The FLBPR determines the range of the FLASH memory which is to be protected. The range
of the protected area starts from a location defined by FLBPR and ends at the bottom of the FLASH
memory ($FFFF). When the memory is protected, the HVEN bit cannot be set in either erase or program
operations.
NOTE
In performing a program or erase operation, the FLASH block protect
register must be read after setting the PGM or ERASE bit and before
asserting the HVEN bit.
When FLBPR is programmed with all 0s, the entire memory is protected from being programmed and
erased. When all the bits are erased (all 1s), the entire memory is accessible for program and erase.
When bits within the FLBPR are programmed, they lock a block of memory address ranges as shown in
2.11 FLASH Block Protect Register. Once the FLBPR is programmed with a value other than $FF, any
erase or program of the FLBPR or the protected block of FLASH memory is prohibited. The FLBPR itself
can be erased or programmed only with an external voltage, VTST, present on the IRQ pin. This voltage
also allows entry from reset into the monitor mode.
2.11 FLASH Block Protect Register
The FLASH block protect register (FLBPR) is implemented as a byte within the FLASH memory, and
therefore can be written only during a programming sequence of the FLASH memory. The value in this
register determines the starting location of the protected range within the FLASH memory.
BPR7–BPR0 — FLASH Block Protect Bits
These eight bits represent bits 13–6 of a 16-bit memory address. Bits 15 and 14 are 1s and bits 5–0
are 0s.
The resultant 16-bit address is used for specifying the start address of the FLASH memory for block
protection. The FLASH is protected from this start address to the end of FLASH memory, at $FFFF.
With this mechanism, the protect start address can be $XX00, $XX40, etc., (64 bytes page boundaries)
within the FLASH memory. See Figure 2-6 and Table 2-2.
Address:
$FF7E
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
BPR7
BPR6
BPR5
BPR4
BPR3
BPR2
BPR1
BPR0
Write:
Reset:
UUUUUUUU
U = Unaffected by reset. Initial value from factory is 1.
Write to this register is by a programming sequence to the FLASH memory.
Figure 2-5. FLASH Block Protect Register (FLBPR)
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| MC908KX2MDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU W/2K FLASH EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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