VCC DC Supply Voltage " />
參數(shù)資料
型號: MC74LVX86DTR2
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大小: 0K
描述: IC GATE XOR QUAD 2INP 14-TSSOP
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 24/Jan/2011
標準包裝: 2,500
系列: 74LVX
邏輯類型: XOR(異或)
電路數(shù): 4
輸入數(shù): 2
電源電壓: 2 V ~ 3.6 V
電流 - 靜態(tài)(最大值): 2µA
輸出電流高,低: 4mA,4mA
邏輯電平 - 低: 0.5 V ~ 0.8 V
邏輯電平 - 高: 1.5 V ~ 2.4 V
額定電壓和最大 CL 時的最大傳播延遲: 12.8ns @ 3V ~ 3.6V,50pF
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 14-TSSOP
封裝/外殼: 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
包裝: 帶卷 (TR)
MC74LVX86
http://onsemi.com
3
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
–0.5 to +7.0
V
Vin
DC Input Voltage
–0.5 to +7.0
V
Vout
DC Output Voltage
–0.5 to VCC +0.5
V
IIK
Input Diode Current
20
mA
IOK
Output Diode Current
±20
mA
Iout
DC Output Current, per Pin
±25
mA
ICC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
±50
mA
PD
Power Dissipation
180
mW
Tstg
Storage Temperature
–65 to +150
_C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
VCC
DC Supply Voltage
2.0
3.6
V
Vin
DC Input Voltage
0
5.5
V
Vout
DC Output Voltage
0
VCC
V
TA
Operating Temperature, All Package Types
40
+85
_C
Dt/DV
Input Rise and Fall Time
0
100
ns/V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
V
TA = 25°C
TA = 40 to 85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
VIH
HighLevel Input Voltage
2.0
3.0
3.6
1.5
2.0
2.4
1.5
2.0
2.4
V
VIL
LowLevel Input Voltage
2.0
3.0
3.6
0.5
0.8
0.5
0.8
V
VOH
HighLevel Output Voltage
(Vin = VIH or VIL)
IOH = 50mA
IOH = 4mA
2.0
3.0
1.9
2.9
2.58
2.0
3.0
1.9
2.9
2.48
V
VOL
LowLevel Output Voltage
(Vin = VIH or VIL)
IOL = 50mA
IOL = 4mA
2.0
3.0
0.0
0.1
0.36
0.1
0.44
V
Iin
Input Leakage Current
Vin = 5.5V or GND
3.6
±0.1
±1.0
mA
ICC
Quiescent Supply Current
Vin = VCC or GND
3.6
2.0
20.0
mA
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