DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND) Symbol Parame" />
參數(shù)資料
型號: MC74HC10ADR2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC GATE NAND TRIPLE 3INP 14SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
系列: 74HC
邏輯類型: 與非門
電路數(shù): 3
輸入數(shù): 3
電源電壓: 2 V ~ 6 V
電流 - 靜態(tài)(最大值): 1µA
輸出電流高,低: 5.2mA,5.2mA
邏輯電平 - 低: 0.5 V ~ 1.8 V
邏輯電平 - 高: 1.5 V ~ 4.2 V
額定電壓和最大 CL 時的最大傳播延遲: 16ns @ 6V,50pF
工作溫度: -55°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 14-SOIC(窄型)
封裝/外殼: 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
包裝: 帶卷 (TR)
MC74HC10A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
V
Guaranteed Limit
Unit
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
VIH
Minimum HighLevel Input
Voltage
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| v 20 μA
2.0
3.0
4.5
6.0
1.5
2.1
3.15
4.2
1.5
2.1
3.15
4.2
1.5
2.1
3.15
4.2
V
VIL
Maximum LowLevel Input
Voltage
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| v 20 μA
2.0
3.0
4.5
6.0
0.5
0.9
1.35
1.8
0.5
0.9
1.35
1.8
0.5
0.9
1.35
1.8
V
VOH
Minimum HighLevel Output
Voltage
Vin = VIH or VIL
|Iout| v 20 μA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
Vin = VIH or VIL
|Iout| v 2.4 mA
|Iout| v 4.0 mA
|Iout| v 5.2 mA
3.0
4.5
6.0
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
VOL
Maximum LowLevel Output
Voltage
Vin = VIH
|Iout| v 20 μA
2.0
4.5
6.0
0.1
V
Vin = VIH or VIL
|Iout| v 2.4 mA
|Iout| v 4.0 mA
|Iout| v 5.2 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.33
0.40
Iin
Maximum Input Leakage Current Vin = VCC or GND
6.0
± 0.1
± 1.0
μA
ICC
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 μA
6.0
1
10
40
μA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
Symbol
Parameter
VCC
V
Guaranteed Limit
Unit
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay, Input A, B, or C to Output Y
(Figures 1 and 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
95
45
19
16
120
60
24
20
145
75
29
25
ns
tTLH,
tTHL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
75
30
15
13
95
40
19
16
110
55
22
19
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
10
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Per Gate)*
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
25
* Used to determine the noload dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC.
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PDF描述
OSTVK177150 CONN TERM BLK HDR 17POS 5MM
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OSTVK175050 CONN TERM BLK HDR 17POS 5.08MM
OSTVL163150 CONN TERM BLK HDR 16POS 3.81MM
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參數(shù)描述
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MC74HC10DR2 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NAND Gate 3-Element 3-IN CMOS 14-Pin SOIC T/R
MC74HC10F 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MC74HC10FL2 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk