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參數(shù)資料
| 型號： | MC68HC912B32MFU8 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 2.20 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, QFP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 6/349頁 |
| 文件大小： | 2172K |
| 代理商： | MC68HC912B32MFU8 |
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Operation
M68HC12B Family Data Sheet, Rev. 9.1
Freescale Semiconductor
103
FLASH EEPROM module control registers may be read or written while ENPE is asserted. If ENPE is
asserted and LAT is negated on the same write access, no programming or erasure will be performed.
8.4 Operation
The FLASH EEPROM can contain program and data. On reset, it can operate as a bootstrap memory to
provide the CPU with internal initialization information during the reset sequence.
8.4.1 Bootstrap Operation Single-Chip Mode
After reset, the CPU controlling the system will begin booting up by fetching the first program address from
address $FFFE.
8.4.2 Normal Operation
The FLASH EEPROM allows a byte or aligned word read/write in one bus cycle. Misaligned word
read/write require an additional bus cycle. The FLASH EEPROM array responds to read operations only.
Write operations are ignored.
8.4.3 Program/Erase Operation
An unprogrammed FLASH EEPROM bit has a logic state of 1. A bit must be programmed to change its
state from 1 to 0. Erasing a bit returns it to a logic 1. The FLASH EEPROM has a minimum program/erase
life of 100 cycles. Programming or erasing the FLASH EEPROM is accomplished by a series of control
register writes and a write to a set of programming latches.
Programming is restricted to a single byte or aligned word at a time determined by internal signals SZ8
and ADDR0. The FLASH EEPROM must first be completely erased prior to programming final data
values. It is possible to program a location in the FLASH EEPROM without erasing the entire array, if the
new value does not require the changing of bit values from 0 to 1.
8.4.3.1 Read/Write Accesses During Program/Erase
During program or erase operations, read and write accesses may be different from those during normal
operation and are affected by the state of the control bits in the FLASH EEPROM control register
(FEECTL). The next write to any valid address to the array after LAT is set will cause the address and
data to be latched into the programming latches. Once the address and data are latched, write accesses
to the array will be ignored while LAT is set. Writes to the control registers will occur normally.
Table 8-1. Effects of ENPE, LAT, and ERAS on Array Reads
ENPE
LAT
ERAS
Result of Read
0
—
Normal read of location addressed
0
1
0
Read of location being programmed
0
1
Normal read of location addressed
1
—
Read cycle is ignored
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| MC68HC916P1CFU16 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16BIT W/32KB FLASH EEPRO - Bulk |
| MC68HC916P1VAA16 | 功能描述:IC MCU 32K FLASH 16MHZ 80-QFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC16 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:AVR® ATmega 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，SPI，UART/USART 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:32KB（16K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:1K x 8 RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:44-TQFP 包裝:剪切帶 (CT) 其它名稱:ATMEGA324P-B15AZCT |
| MC68HC916P3CFU16 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16BIT MCU FOR GENERAL - Bulk |
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