參數(shù)資料
型號: MC68HC908RF2
廠商: 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述: 8 bit Microcontroller Unit (MCU)(8位MCU)
中文描述: 8位微控制器(MCU)(8位微控制器)
文件頁數(shù): 184/188頁
文件大?。?/td> 2886K
代理商: MC68HC908RF2
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Electrical Specifications
Data Sheet
MC68HC908RF2 — Rev. 4.0
184
Electrical Specifications
MOTOROLA
14.12 Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
RAM data retention voltage
V
RDR
1.3
V
FLASH pages per row
8
8
Pages
FLASH bytes per page
1
1
Bytes
FLASH read bus clock frequency
f
Read(1)
32 K
2.5 M
Hz
FLASH charge pump clock frequency
(See
2.5.2 FLASH 2TS Charge Pump Frequency
Control
)
f
Pump(2)
1.8
2.5
MHz
FLASH block/bulk erase time
t
Erase
100
ms
FLASH row erase time
t
RowErase
30
ms
FLASH high voltage kill time
t
Kill
200
μ
s
FLASH return to read time
t
HVD
50
μ
s
FLASH page program pulses
fls
Pulses(3)
15
Pulses
FLASH page program step size
t
Step(4)
1.0
1.2
ms
FLASH cumulative program time per row
between erase cycles
t
Row(5)
8
Page
program
cycles
FLASH HVEN low to MARGIN high time
t
HVTV
50
μ
s
FLASH MARGIN high to PGM low time
t
VTP
150
μ
s
FLASH 2TS row program endurance
(6)
10
4
-—
-—
Cycles
FLASH data retention time
(7)
15
100
-—
Years
1. f
Read
is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
2. f
Pump
is defined as the charge pump clock frequency required for program, erase, and margin read operations.
3. fls
Pulses
is defined as the number of pulses used to program the FLASH using the required smart program algorithm.
4. t
Step
is defined as the amount of time during one page program cycle that HVEN is held high.
5. t
Row
is defined as the cumulative time a row can see the program voltage before the row must be erased before further
programming.
6. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH 2TS memory is guaranteed to work for at least this
many erase/program cycles.
7. The FLASH is guaranteed to retain data over the entire temperature range for at least the minimum time specified.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC68HC908RK2CSD 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:MOTOROLA 功能描述:
MC68HC908SR12CB 功能描述:IC MCU 12K FLASH 8MHZ 42-SDIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN,SCI,SPI 外圍設(shè)備:POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB(20K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908SR12CFA 功能描述:MICROCONTROLLER 48 PIN RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:HC08 其它有關(guān)文件:STM32F101T8 View All Specifications 特色產(chǎn)品:STM32 32-bit Cortex MCUs 標準包裝:490 系列:STM32 F1 核心處理器:ARM? Cortex?-M3 芯體尺寸:32-位 速度:36MHz 連通性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外圍設(shè)備:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):26 程序存儲器容量:64KB(64K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:10K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 10x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:36-VFQFN,36-VFQFPN 包裝:托盤 配用:497-10030-ND - STARTER KIT FOR STM32497-8853-ND - BOARD DEMO STM32 UNIV USB-UUSCIKSDKSTM32-PL-ND - KIT IAR KICKSTART STM32 CORTEXM3497-8512-ND - KIT STARTER FOR STM32F10XE MCU497-8505-ND - KIT STARTER FOR STM32F10XE MCU497-8304-ND - KIT STM32 MOTOR DRIVER BLDC497-6438-ND - BOARD EVALUTION FOR STM32 512K497-6289-ND - KIT PERFORMANCE STICK FOR STM32MCBSTM32UME-ND - BOARD EVAL MCBSTM32 + ULINK-MEMCBSTM32U-ND - BOARD EVAL MCBSTM32 + ULINK2更多... 其它名稱:497-9032STM32F101T8U6-ND