參數(shù)資料
型號： MC68HC908QY4VDT
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 72/184頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 4K FLASH 8MHZ 16-TSSOP
標準包裝： 96
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 13
程序存儲器容量： 4KB（4K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 128 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x8b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
包裝： 管件
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Memory Characteristics
MC68HC908QY/QT Family Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
163
16.16 Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
FLASH program bus clock frequency
—
1
—
MHz
FLASH read bus clock frequency
fRead
(1)
1. fRead is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
0—
8 M
Hz
FLASH page erase time
<1 k cycles
>1 k cycles
tErase
0.9
3.6
1
4
1.1
5.5
ms
FLASH mass erase time
tMErase
4—
—
ms
FLASH PGM/ERASE to HVEN setup time
tNVS
10
—
μs
FLASH high-voltage hold time
tNVH
5—
—
μs
FLASH high-voltage hold time (mass erase)
tNVHL
100
—
μs
FLASH program hold time
tPGS
5—
—
μs
FLASH program time
tPROG
30
—
40
μs
FLASH return to read time
tRCV
(2)
2. tRCV is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump, by
clearing HVEN to 0.
1—
—
μs
FLASH cumulative program HV period
tHV
(3)
3. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tNVS + tNVH + tPGS + (tPROG x 32) ≤ tHV maximum.
——
4
ms
FLASH endurance(4)
4. Typical endurance was evaluated for this product family. For additional information on how Freescale defines Typical
Endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619.
—
10 k
100 k
—
Cycles
FLASH data retention time(5)
5. Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines Typical Data Retention, please
refer to Engineering Bulletin EB618.
—
15
100
—
Years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VJ2225Y103JBLAT4X CAP CER 10000PF 630V 5% X7R 2225
VJ2225Y104JBLAT4X CAP CER 0.1UF 630V 5% X7R 2225
VJ2225Y153JBLAT4X CAP CER 0.015UF 630V 5% X7R 2225
VJ2225Y223JBLAT4X CAP CER 0.022UF 630V 5% X7R 2225
VJ2225Y333JBLAT4X CAP CER 0.033UF 630V 5% X7R 2225
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參數(shù)描述
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MC68HC908QY4VDW 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 Bit 8MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC68HC908QY4VP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4K FLASH W/ADC - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:MOTOROLA 功能描述:
MC68HC908QY4VPE 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC- LEAD FRE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC68HC908RF2CFA 功能描述:IC MCU W/UHF TX 2K FLASH 32LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
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