參數(shù)資料
型號： MC68HC908QY4VDT
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16
封裝： TSSOP-16
文件頁數(shù)： 122/192頁
文件大?。?/td> 3292K
代理商： MC68HC908QY4VDT
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Memory
FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QY/QT Family — Rev. 3
Data Sheet
MOTOROLA
Memory
35
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is
interlocked with the PGM bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1
at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is
interlocked with the ERASE bit such that both bits cannot be equal to 1 or set
to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
2.6.2 FLASH Page Erase Operation
Use the following procedure to erase a page of FLASH memory. A page consists
of 64 consecutive bytes starting from addresses $XX00, $XX40, $XX80, or $XXC0.
The 48-byte user interrupt vectors area also forms a page. Any FLASH memory
page can be erased alone.
1.
Set the ERASE bit and clear the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range of the block
to be erased.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tErase (minimum 1 ms or 4 ms).
7.
Clear the ERASE bit.
8.
Wait for a time, tNVH (minimum 5 s).
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After time, tRCV (typical 1 s), the memory can be accessed in read mode
again.
NOTE:
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by code being
executed from the FLASH memory. While these operations must be performed in
the order as shown, but other unrelated operations may occur between the steps.
CAUTION:
A page erase of the vector page will erase the internal oscillator trim value at
$FFC0.
相關PDF資料
PDF描述
MC68HC908QT2MDW 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO8
MC68HC908QT2VDW 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO8
MC68HC908QT4CP 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP8
MC68HC908QT4VDW 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO8
MC68HC908QY2VDT 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MC68HC908QY4VDW 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 Bit 8MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC68HC908QY4VP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4K FLASH W/ADC - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:MOTOROLA 功能描述:
MC68HC908QY4VPE 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC- LEAD FRE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MC68HC908RF2CFA 功能描述:IC MCU W/UHF TX 2K FLASH 32LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
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