參數(shù)資料
型號: MC68HC908QT1
廠商: 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述: 8 bit Microcontroller Unit (MCU)(8位MCU)
中文描述: 8位微控制器(MCU)(8位微控制器)
文件頁數(shù): 155/184頁
文件大?。?/td> 1763K
代理商: MC68HC908QT1
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3-V DC Electrical Characteristics
MC68HC908QY/QT Family Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
155
16.9 3-V DC Electrical Characteristics
Characteristic
(1)
1. V
DD
= 2.7 to 3.3 Vdc, V
SS
= 0 Vdc, T
A
= T
L
to T
H
, unless otherwise noted.
2. Typical values reflect average measurements at midpoint of voltage range, 25°C only.
3. Maximum is highest voltage that POR is guaranteed.
4. If minimum V
DD
is not reached before the internal POR reset is released, the LVI will hold the part in reset until minimum
V
DD
is reached.
5. R
PU
are measured at
V
DD
= 3.0 V
Symbol
Min
Typ
(2)
Max
Unit
Output high voltage
I
Load
= –0.6 mA, all I/O pins
I
Load
= –4.0 mA, all I/O pins
I
Load
= –10.0 mA, PTA0, PTA1, PTA3–PTA5 only
Maximum combined I
OH
(all I/O pins)
Output low voltage
I
Load
= 0.5 mA, all I/O pins
I
Load
= 6.0 mA, all I/O pins
I
Load
= 10.0 mA, PTA0, PTA1, PTA3–PTA5 only
Maximum combined I
OL
(all I/O pins)
Input high voltage
PTA0–PTA5, PTB0–PTB7
V
OH
V
DD
–0.3
V
DD
–1.0
V
DD
–0.8
V
I
OHT
50
mA
V
OL
0.3
1.0
0.8
V
I
OLT
50
mA
V
IH
0.7 x V
DD
V
DD
V
Input low voltage
PTA0–PTA5, PTB0–PTB7
V
IL
V
SS
0.3 x V
DD
V
Input hysteresis
V
HYS
I
INJ
I
INJTOT
I
IL
0.06 x V
DD
V
DC injection current, all ports
–2
+2
mA
Total dc current injection (sum of all I/O)
–25
+25
mA
Ports Hi-Z leakage current
–1
±
0.1
+1
μ
A
Capacitance
Ports (as input)
Ports (as input)
C
IN
C
OUT
12
8
pF
POR rearm voltage
(3)
V
POR
0
100
mV
POR rise time ramp rate
(4)
R
POR
0.035
V/ms
Monitor mode entry voltage
V
TST
V
DD
+ 2.5
V
DD
+ 4.0
V
Pullup resistors
(5)
PTA0–PTA5, PTB0–PTB7
R
PU
16
26
36
k
Low-voltage inhibit reset, trip falling voltage
V
TRIPF
V
TRIPR
V
HYS
2.40
2.55
2.70
V
Low-voltage inhibit reset, trip rising voltage
2.50
2.65
2.80
V
Low-voltage inhibit reset/recover hysteresis
60
mV
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