參數(shù)資料
型號(hào): MC68HC908KX2MDW
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16
封裝: SOIC-16
文件頁數(shù): 139/210頁
文件大?。?/td> 1346K
代理商: MC68HC908KX2MDW
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Memory
MC68HC908KX8 MC68HC908KX2 MC68HC08KX8 Data Sheet, Rev. 2.1
34
Freescale Semiconductor
2.9 FLASH Program/Read Operation
Programming of the FLASH memory is done on a row basis. A row consists of 32 consecutive bytes
starting from addresses $XX00, $XX20, $XX40, $XX60, $XX80, $XXA0, $XXC0, and $XXE0. Use this
step-by-step procedure to program a row of FLASH memory (Figure 2-4 is a flowchart representation).
NOTE
Only bytes which are currently $FF may be programmed.
1.
Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range desired.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tPGS (minimum 5 s).
7.
Write data to the FLASH address being programmed(1).
8.
Wait for time, tPROG (minimum 30 s).
9.
Repeat step 7 and 8 until all desired bytes within the row are programmed.
10.
Clear the PGM bit(1).
11.
Wait for time, tNVH (minimum 5 s).
12.
Clear the HVEN bit.
13.
After time, tRCV (typical 1 s), the memory can be accessed in read mode again.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order shown, other unrelated operations may
occur between the steps. Do not exceed tPROG maximum. See 17.11
1. The time between each FLASH address change, or the time between the last FLASH address programmed to clearing
PGM bit, must not exceed the maximum programming time, tPROG maximum.
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PDF描述
MC68HC908KX8MDW 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16
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參數(shù)描述
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