參數(shù)資料
型號： MC68HC908JB8FB
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： MICROCONTROLLERS
中文描述： 8-BIT, FLASH, 3 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44
封裝： PLASTIC, QFP-44
文件頁數(shù)： 40/278頁
文件大?。?/td> 4699K
代理商： MC68HC908JB8FB
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Memory
MC68HC908GT16 MC68HC908GT8 Data Sheet, Rev. 3
40
Freescale Semiconductor
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Set the ERASE bit and clear the MASS bit in the FLASH control register.
Read the FLASH block protect register.
Write any data to any FLASH location within the address range of the block to be erased.
Wait for a time, t
NVS
(minimum
10
μ
s).
Set the HVEN bit.
Wait for a time, t
Erase
(minimum 1 ms or 4 ms).
Clear the ERASE bit.
Wait for a time, t
NVH
(minimum
5
μ
s).
Clear the HVEN bit.
After time, t
RCV
(typical
1
μ
s),
the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order as shown, but other unrelated operations
may occur between the steps.
CAUTION
A page erase of the vector page will erase the internal oscillator trim values
at $FF80 and $FF81.
10.
In applications that require more than 1000 program/erase cycles, use the 4 ms page erase specification
to get improved long-term reliability. Any application can use this 4 ms page erase specification. However,
in applications where a FLASH location will be erased and reprogrammed less than 1000 times, and
speed is important, use the 1 ms page erase specification to get a shorter cycle time.
2.6.4 FLASH Mass Erase Operation
Use the following procedure to erase the entire FLASH memory to read as a 1:
1.
Set both the ERASE bit and the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH address
(1)
within the FLASH memory address range.
4.
Wait for a time, t
NVS
(minimum
10
μ
s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, t
MErase
(minimum
4 ms).
7.
Clear the ERASE and MASS bits.
NOTE
Mass erase is disabled whenever any block is protected (FLBPR does not
equal $FF).
Wait for a time, t
NVHL
(minimum
100
μ
s).
Clear the HVEN bit.
After time, t
RCV
(typical
1
μ
s),
the memory can be accessed in read mode again.
8.
9.
10.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
1. When in monitor mode, with security sequence failed (see
19.3.2 Security
), write to the FLASH block protect register in-
stead of any FLASH address.
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