DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS DYNAMIC" />
參數(shù)資料
型號(hào)： MC33399D
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 17/19頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC LIN INTERFACE W/WAKE 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 98
系列： *
應(yīng)用： *
接口： *
電源電壓： *
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 管件
安裝類型： 表面貼裝
Analog Integrated Circuit Device Data
Freescale Semiconductor
7
33399
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Dynamic Electrical Characteristics
Characteristics noted under conditions 7.0 V
VSUP 18 V, -40C TA 125C, GND = 0 V unless otherwise noted. Typical
values noted reflect the approximate parameter means at TA = 25 °C under nominal conditions unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DIGITAL INTERFACE TIMING
LIN Slew Rate (6), (7)
Falling Edge
Rising Edge
tFALL
tRISE
0.75
2.0
3.0
V/
s
LIN Rise/Fall Symmetry (tRISE-tFALL)
tSYM
-2.0
—
2.0
s
Driver Propagation Delay (8), (9)
TXD LOW-to-LIN LOW
TXD HIGH-to-LIN HIGH
tTXDLINL
tTXDLINH
0.0
—
4.0
s
Receiver Propagation Delay (9), (10)
LIN LOW to RXD LOW
LIN HIGH to RXD HIGH
tRXDLINL
t RXDLINH
2.0
4.0
6.0
s
Receiver Propagation Delay Symmetry
tRECSYM
-2.0
—
2.0
s
Transmitter Propagation Delay Symmetry
tTRSYM
-2.0
—
2.0
s
Propagation Delay (11)
LIN Bus Wake-up to INH HIGH
tPROPWL
45
70
130
s
Notess
6.
Measured between 20 and 80 percent of bus signal for 10 V <
VSUP < 18 V. Between 30 and 70 percent of signal for
7.0 V < VSUP < 10 V.
7.
8.
tTXDLINL is measured from TXD (HIGH-to-LOW) and LIN (VREC -0.2 V). tTXDLINH is measured from TXD (LOW-to-HIGH) and LIN
(VDOM + 0.2 V).
9.
10.
Measured between LIN receiver thresholds and RXD pin.
11.
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PDF描述
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