參數(shù)資料
型號： MC200SP56
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 56 A, 200 V, 0.045 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 32K
代理商： MC200SP56
MC200SP56
11/99
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail: sales@semelab.co.uk
VDSS
ID
IDM
VGS
VGSM
PD
TJ , TSTG
TL
IAR
EAR
EAS
Package Outline.
Dimensions in mm
Drain – Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current 1
Gate – Source Voltage
Gate – Source Voltage Transient
Total Power Dissipation @ Tcase = 25°C
Derate Linearly
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.
Avalanche Current1 (Repetitive and Non-Repetitive)
Repetitive Avalanche Energy 1
Single Pulse Avalanche Energy 2
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
HIGH VOLTAGE
POWER MOSFETS
200
56
224
±20
±30
255
2.4
–55 to 150
300
56
30
1300
V
A
V
W
W/°C
°C
A
mJ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
2) Starting TJ = 25°C, L = 0.83mH, RG = 25W, Peak IL = 56A
VDSS
200V
ID(cont)
56A
RDS(on) 0.045W
W
Faster Switching
Lower Leakage
100% Avalanche Tested
This Module consists of 6 StarMOS die in 3 phase
configuration.
StarMOS is a new generation of
high voltage N–Channel enhancement mode
power MOSFETs. This new technology minimises
the JFET effect, increases packing density and
reduces the on-resistance. StarMOS also achieves
faster switching speeds through optimised gate
layout.
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PDF描述
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