參數(shù)資料
型號： MBT2222ADW
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： Dual General Purpose Transistors
中文描述： 雙通用晶體管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 349K
代理商： MBT2222ADW
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
MBT2222ADW
V
CEO
Value
150
833
-55 to+150
TJ
MBT2222ADW=XX
(1)
u
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using
the minimum recommended footprint
SOT-363(SC-88)
3
4
5
1
2
6
NPN+NPN
123
654
NPN+NPN Silicon
Dual General Purpose Transistors
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT2907ADW Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon
MBT3904DW Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon
MC2831 FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE
MC2832 FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE
MC2835 FOR GENERAL SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE(SERIES TYPE)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBT2222ADW1T 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MBT2222ADW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT2222ADW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT22N 制造商:APEM 功能描述:
MBT23N 制造商:APEM 功能描述:Switch Slide DP3T Extended Top Slide 0.3A 125VAC 30VDC PC Pins Bracket Mount/Through Hole
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