參數(shù)資料
型號(hào)： MBRS140TRPBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
封裝： LEAD FREE, SMB, SIMILAR TO DO-214AA, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 88K
代理商： MBRS140TRPBF
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94319
4
Revision: 21-Apr-08
MBRS140TRPbF
Vishay High Power Products Schottky Rectifier, 1.0 A
Fig. 5 - Maximum Average Forward Current vs.
Allowable Lead Temperature
Fig. 6 - Maximum Average Forward Dissipation vs.
Average Forward Current
Fig. 7 - Maximum Peak Surge Forward Current vs. Pulse Duration
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
70
80
100
110
120
130
150
160
140
Allowable
C
ase
Temperature
(°
C
)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
90
DC
See note (1)
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
Square wave (D = 0.50)
Rated V
R applied
0
0.4
0.8
0.6
0.2
1.0
Average
Power
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
0.3
0.6
1.5
0.9
1.2
0
DC
RMS limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
10
100
1000
I FSM
-
Non-Repetitive
Surge
Current
(A)
tp - Square Wave Pulse Duration (s)
100
1000
10 000
10
At any rated load condition
and with rated V
RRM applied
following surge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRS15H45CT 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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MBRS20H150CT 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRS20H150CT 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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