參數(shù)資料
型號(hào)： MBRF1060-E3/45
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： MBRF1060-E3/45
MBR(F,B)1035 thru MBR(F,B)1060
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88669
Revision: 07-May-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 125 °C
T
J = 75 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instanteno
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
1000
10 000
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRB1060-E3/81 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRF1045HE3/45 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBR1035HE3/45 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBR1035-E3/45 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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參數(shù)描述
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MBRF1060HE3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 60 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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MBRF1080 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
MBRF1080CT 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
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