參數(shù)資料
型號(hào)： MBRB1535CT-GT4
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： GREEN, PLASTIC, D2PAK, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 307K
代理商： MBRB1535CT-GT4
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Technical Data
Green Products
Data Sheet 3
456, Rev. A
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MBR1535/1545CT-G
MBRB1535/1545CT-G
MBR1535/1545CT-1-G
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Unit
s
35
MBR1535CT-G
MBRB1535CT-G
MBR1535CT-1-G
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
45
MBR1545CT-G
MBRB1545CT-G
MBR1545CT-1-G
V
7.5(per leg))
Max. Average Forward
Current
IF(AV)
50% duty cycle @TC = 105°C,
rectangular wave form
15(per device)
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
IFSM
8.3 ms, half Sine pulse
180
A
Peak Repetitive Reverse
Surge Current
IRRM
2.0μsec 1.0KHz
1.0
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Max. Forward Voltage Drop
(per leg) *
VF1
@ 15A, Pulse, TJ = 25
°C
0.84
V
VF2
@ 15A, Pulse, TJ = 125
°C
0.72
V
Max. Reverse Current
(per leg) *
IR1
@VR = rated VR Pulse
TJ = 25
°C
1.0
mA
IR2
@VR = rated VR , Pulse
TJ = 125
°C
15
mA
Max. Junction Capacitance
(per leg)
CT
@VR = 5V, TC = 25
°C fSIG = 1MHz
VSIG =50(p-p)
400
pF
Typical Series Inductance
(per leg)
LS
Measured lead to lead 5 mm from
package body
8.0
nH
Max. Voltage Rate of Change
dv/dt
-
10,00
V/
s
* Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +150
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-65 to +150
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
RθJC
DC operation
3.0
°C/W
Typical Thermal Resistance
Case to Heat Sink
RθCS
Mounting surface,
smooth and greased
0.50
°C/W
Maximum Thermal
Resistance Junction
RθJA
DC operation
60
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Mounting Torque
TM
-
6(Min.)
12(Max.)
Kg-cm
Case Style
TO-220AB D
2PAK TO-262
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR1545CT 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR1550CT-E3/45 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRB1535CT-E3/81 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB1535CT-HE3/81 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB1545CT-E3/81 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBRB1535CTHE3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 35 Volt 15A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRB1535CTHE3/81 功能描述:肖特基二極管與整流器 35 Volt 15A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRB1535CTP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 7.5 A
MBRB1535CTPBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A D2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):497-10107-2
MBRB1535CT-T 功能描述:肖特基二極管與整流器 15A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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