參數(shù)資料
型號(hào)： MBRB10H90CTHE3/81
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 517K
代理商： MBRB10H90CTHE3/81
MBR(F,B)10H90CT & MBR(F,B)10H100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88668
Revision: 08-Nov-07
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1
0.3
1.1
0.5
100
10
0.1
0.01
1
0.7
0.9
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
T
J = - 40 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1
0.1
10
100
1000
10 000
0.01
20
0
100
40
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
1
10
100
1000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.01
10
1
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Junction to Case
MBRF
0.1
1
10
100
0.01
0.1
10
1
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
MBRF
Junction to Case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRB10H90CT-E3/45 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR10H35-E3 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBR10H50 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBR10H90-E3 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBRB10H90/31-E3 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MBRB15100CT 制造商:MCC 制造商全稱(chēng):Micro Commercial Components 功能描述:15 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
MBRB1520CT 制造商:MCC 制造商全稱(chēng):Micro Commercial Components 功能描述:15 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
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