參數(shù)資料
型號(hào)： MBRA120TR
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： SIMILAR TO D-64, SMA, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： MBRA120TR
MBRA120TRPbF
Bulletin PD-20776 07/04
4
www.irf.com
Fig. 4 - Maximum Average Forward Current
Vs. Allowable Lead Temperature
Fig. 5 - Maximum Average Forward Dissipation
Vs. Average Forward Current
Fig. 6 - Maximum Peak Surge Forward Current Vs. Pulse Duration
(2) Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D)
Average Forward Current - I
F(AV) (A)
Allowable
Lead
Temperature
(°C)
Average Forward Current - I
F(AV) (A)
Allowable
Power
Loss
(Watts)
Square Wave Pulse Duration - t
p (microsec)
Non-Repetitive
Surge
Current
-I
FSM
(A)
130
135
140
145
150
155
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
DC
see note (2)
Square wave
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
DC
RMS Limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
10
100
1000
10
100
1000
10000
Tj = 25C
At Any Rated Load Condition
And With Rated Vrrm Applied
Following Surge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRA120TRPBF 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBRB10100CT-TP 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRB1060-G 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRB1060-T4 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRB10H150CT-1 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBRA120TR_02 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER
MBRA120TR-15000PIECES 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER
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MBRA120TRPBF_10 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.0 A
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