參數(shù)資料
型號(hào)： MBRA120TR
廠(chǎng)商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： SIMILAR TO D-64, SMA, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： MBRA120TR
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com
Document Number: 94300
2
Revision: 04-Mar-10
VS-MBRA120TRPbF
Vishay High Power Products Schottky Rectifier, 1.0 A
Note
(1) Pulse width < 300 μs, duty cycle < 2 %
Notes
(1)
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(2) Mounted 1" square PCB
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNITS
Maximum forward voltage drop
VFM (1)
1 A
TJ = 25 °C
0.42
0.45
V
2 A
0.46
0.52
1 A
TJ = 100 °C
0.33
0.37
2 A
0.39
0.45
1 A
TJ = 125 °C
0.30
0.35
2 A
0.36
0.43
Maximum reverse leakage current
IRM (1)
TJ = 25 °C
VR = Rated VR
0.015
0.2
mA
TJ = 100 °C
2.0
6.0
TJ = 125 °C
7.0
20
Typical junction capacitance
CT
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz), 25 °C
110
-
pF
Typical series inductance
LS
Measured lead to lead 5 mm from package body
2.0
-
nH
Maximum voltage rate of change
dV/dt
Rated VR
-
10 000
V/μs
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction and storage
temperature range
TJ (1), TStg
- 65 to 150
°C
Maximum thermal resistance,
junction to lead
RthJL (2)
DC operation
35
°C/W
Maximum thermal resistance,
junction to ambient
RthJA
80
Approximate weight
0.07
g
0.002
oz.
Device marking
Case style SMA (similar D-64)
V12A
dP
tot
dT
J
-------------
1
R
thJA
--------------
<
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRA120TR 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBRA120TRPBF 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBRB10100CT-TP 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRB1060-G 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRB1060-T4 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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