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參數(shù)資料
| 型號： | MBR6H04-P |
| 廠商： | MICROPAC INDUSTRIES INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-257AA |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 2109K |
| 代理商： | MBR6H04-P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR735 | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR760-G | 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR760 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR8100L | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR8200F | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBR7030WT | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 70A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MBR7030WT_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier |
| MBR7030WTG | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 70A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MBR7100 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 7.0 Amp 100 Volt Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBR7150 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 7.0 Amp 150 Volt Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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