參數(shù)資料
型號： MBR20S100CT
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Schottky Barrier Rectifier
中文描述： 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： MBR20S100CT
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
MBR20S100CT Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
M
MBR20S100CT
Schottky Barrier Rectifier
Features
Low forward voltage drop
High frequency properties and switching speed
Guard ring for over-voltage protection
Applications
Switched mode power supply
Freewheeling diodes
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Width = 300
μ
s, Duty Cycle = 2%
Symbol
Parameter
Value
Units
V
RRM
V
R
I
F(AV)
I
FSM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
100
V
Maximum DC Reverse Voltage
100
V
Average Rectified Forward Current @T
C
= 135
°
C
Non-Repetitive Peak Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
20
A
200
A
T
J
, T
STG
Operating Junction and Storage Temperature
-65 to +150
°
C
Symbol
Parameter
Value
Units
R
θ
JC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode)
1.54
°
C/W
Symbol
Parameter
Value
Units
V
FM*
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 10A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 20A
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated V
R
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
-
0.70
0.95
0.85
V
V
V
V
I
RM*
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
0.1
20
mA
mA
1. Anode 2.Cathode 3. Anode
TO-220
Marking: YM20S100CT
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