參數(shù)資料
型號: MBR120P
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 174K
代理商: MBR120P
相關PDF資料
PDF描述
MBR115P 1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR140P 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR130LSF-TP 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR1550CT 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR1645 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MBR120VLSFT1 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR120VLSFT1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier
MBR120VLSFT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR120VLSFT1H 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MBR120VLSFT3 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel