參數(shù)資料
型號(hào)： MBR10H50
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： MBR10H50
MBR10Hxx, MBRF10Hxx & MBRB10Hxx Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88780
www.vishay.com
03-Mar-03
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
Fig. 3 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics
Fig. 5 – Typical Junction
Capacitance
Fig. 6 – Typical Transient
Thermal Impedance
Number of Cycles at 60 HZ
Reverse Voltage (V)
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
0
5
10
15
025
50
75
100
125
150
175
Fig. 1 – Forward Current
Derating Curve
A
v
er
age
F
orw
ard
Current
(A)
Case Temperature (
°C)
Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive
Peak Forward Surge Current
0.01
0.1
0.1 0.2 0.3
0.4 0.5
0.6
0.7 0.8 0.9
1.0
1.1
0
1.0
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous
F
orw
ard
Current
(A)
020
60
40
100
80
0.0001
0.001
0.1
0.01
1
10
100
Fig. 4 – Typical Reverse
Characteristics
Instantaneous
Re
v
erse
Leakage
Current
(mA)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
t, Pulse Duration (sec.)
T
ranseint
Ther
mal
Impedance
(
°C/W)
pF
-
J
unction
Capacitance
0.01
10
1
0.1
1
10
110
0
100
1000
10000
100
TJ = TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
MBR10H35 -- MBR10H45
MBR10H50 -- MBR10H60
MBR10H35 -- MBR10H45
MBR10H50 -- MBR10H60
TJ = 25
°C
f = 1.0 MHZ
Vsig = 50mVp-p
TJ = 150
°C
TJ = 150
°C
TJ = 125
°C
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
TJ = 25
°C
MBR10H35 -- MBR10H45
MBR10H50 -- MBR10H60
MBRF
MBR, MBRB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR10H90-E3 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBRB10H90/31-E3 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB10H90/31 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB10H90-E3 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR10H90CT-E3 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR10H50-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 50 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR10H60 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers
MBR10H60-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 60 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR10H60HE3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 60 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR10H90 功能描述:肖特基二極管與整流器 10A 90V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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